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硅量子点在太阳能电池中的应用 摘要: 目前太阳能电池存在能耗高、光电转换效率低等缺点, 其光电转换效率皆低于理论预测值的重要原因之一是不能充分利用太阳光。电池太阳光损失机制主要有是能量低于带隙的光子不能被吸收和能量大于带隙的光子存在热损失。 ...目前太阳能电池存在能耗高、光电转换效率低等缺点, 其光电转换效率皆低于理论预测值的重要原因之一是不能充分利用太阳光。电池太阳光损失机制主要有是能量低于带隙的光子不能被吸收和能量大于带隙的光子存在热损失。人们已提出3 套方案解决此问题: 1) 增加带隙数量, 制作多带隙叠层太阳能电池; 2) 热载流子冷却前进行俘获;?3) 一个高能光子产生多个电子空穴对或者多个低能光子产生一个高能电子空穴对。目前方案1) 已经得到实际应用, 后两套方案基于量子点( QDs) 产生的量子限制效应正处于研究之中。2002 年,A. J. Nozik发现某些半导体量子点在蓝光或紫外线照射下能释放出两个以上电子。2004 年, R. D. Schaller等在实验中观察到PbSe量子点产生多个电子空穴对的现象, 首先证实了A. J. Nozik理论的正确性。2006年, 该小组又用高能紫外线照射PbSe和PbS量子点时发现吸收一个高能光子可产生7 个电子空穴对, 大大提高了光量子产额。由此, 人们设想利用量子点的这种特性可以提高太阳电池光电转换效率, 即设计量子点太阳电池。A. J. Nozik认为把量子点作为太阳电池有源区理论上光电转换效率可以达到66%, 目前量子点太阳电池正处于理论和实验初步研究之中。2007 年, M. C. Beard 等采用超快速瞬态吸收谱实验观察到了胶体硅纳米晶粒中多电子空穴对产生过程。本文由量子限制效应引起的碰撞电离和多激子产生现象给出了硅量子点太阳电池的设计理论, 对硅量子点的几种制作工艺以及硅量子点太阳电池设计结构做了阐述。一、硅量子点太阳电池设计理论由于量子点内的电子运动空间被局限于小于电子本身德布罗意波长的范围内( 几十纳米量级) , 电子的波动性将成为其主要运动特征, 其经典运动规律( 粒子性) 不再起作用。此时将产生一系列量子效应, 如表面效应、库仑阻塞效应、量子限制效应、共振隧穿效应、小尺寸效应以及由于碰撞电离产生多激子等。这些现象利于量子点太阳电池的设计与应用。随着硅量子点尺寸的减小, 量子限域能增大, 带隙增宽。S. W.Par k 等发现通过调控SiO2基质中硅量子点的大小可以控制硅量子点带隙宽度。另外, 对于含有纳米量子点纳米硅薄膜( 晶态体积分数在50% 左右) 有一个重要特性是它具有非常高的电导率和极低的电导激活能, 电导率比本征单晶硅高出几千倍。这种高电导主要来自于晶粒传导, 大量的非晶界面区可视为绝缘层,量子点网络中电子便以热辅助隧穿方式越过晶间势垒, 这种特性提高了载流子在硅纳米薄膜中的输运能力。由于量子点三维限制效应, 载流子能量密度态具有离散特征, 因而促使声子对电子散射作用减弱, 载流子冷却速率被有效降低。同时, 三维量子限制效应提高了激子间库仑作用势和弱化了载流子动量匹配条件。以上引起碰撞电离率大大提高, 这样在具有量子限制效应的半导体量子点中多激子能很有效地产生。然而在体半导体中这种多激子产生率是很低的。因为载流子的复合速率要远大于碰撞电离率, 且碰撞电离发生所要求的能量阈值较高。碰撞电离导致多激子产生是设计硅量子点太阳电池可行性的一个重要原理, 由一个高能光子因碰撞电离产生多个载流子对的示意图如图1 所示:然而, 并不是存在量子点就可以发生碰撞电离现象。碰撞电离的有效发生需要入射光子能量至少为量子点带隙能量的2 倍, 只有满足此条件的材料才能设计多激子发生的量子点太阳电池。2007 年, M. C. Beard等采用超快速瞬态吸收谱实验观察到当硅纳米晶粒尺寸为9. 5 nm 时, 硅量子点带隙为1. 2 eV, 导致多激子产生的光子能量阈值为2. 4 eV左右; 当光子能量为带隙的3. 4 倍时, 获得多激子产生的量子产额为260%。2008 年, PengYingcai等实验发现当硅量子点尺寸为3. 1 nm, 相邻量子点间距为3 nm 左右时, 入射光子能量在3 eV左右可产生双光子现象。二、硅量子点制作工艺获得高光电转换效率硅量子点太阳电池的最关键技术是制作分布均匀、大小合适且均一、量子点间距满足载流子高效输运的硅量子点。在硅量子点太阳电池中, 量子点大小和间距对载流子迁移率有很大影响。载流子迁移率对硅量子点间距一致性的依赖程度同量子点尺寸变化相比更强。为制取规则排列、密度分布均匀且尺寸易控制的硅量子点, 本课题组已采用光刻制备排列规则的种晶和后续镀膜退火的工艺, 试图获取合格的硅量子点并设法运用于太阳能电池有源区, 目前正处于