基于NB8216测频范围0-1G的频率计.doc

目 录 一、设计说明 3 二、工艺流程 3 三、SCH图 3 四、PCB图 3 五、元器件清单表 3 六、焊接制作 3 七、调试与装配 3 八、过程照片 4 九、网页链接地址 4 十、竞赛评定 5 一、设计说明 设计任务要求 采用NB8216为主芯片制作测频范围0-1G的频率计（低于100Hz和高于40MHz需增加外围电路进行发挥性设计）。 1.2方案选择 本电路设计是测频范围0-1G的频率计，采用NBIC（宁波高新区甬晶微电子有限公司）提供的NB8216D高性能单片40兆频率计芯片作为主芯片，采用MB506高频分频芯片作为本设计高频的高频分配器，和采用HD74HC04P反相器对输入波形进行整形。 1.3根据设计框架进行电路单元设计和器件选择： 由于本设计有高频部分，信号的抗干扰能力严重影响本设计的成功与否，所以我们从信号源的输入就采用了BNC带屏蔽的接头，高频别测信号到芯片的线路采用最短距离的走线，尽可能地减小对信号干扰；MB506最大输入频率可达2.4GHz，远远地大于本设计的要求，并且有1/64分频、1/128分频和1/256分频选择；数码管采用两块四位一体，一共八位能够清楚得观察被测信号。 1.4被测频率的计算公式 MB506一共有三种分频模式，分别是1/64分频、1/128分频和1/256分频 如：选择的是1/64分频，数码管显示的数值为20.140615， 二、工艺流程 2.1高频被测信号的输入 由于本设计有高频部分，所以我们从信号源的输入就采用了BNC带屏蔽的接头（图2.1中的P7）全新设计的单片频率计芯片，全面取代MCU单片机测频方案。 功能兼容ICM7216D，性能更优越。 测量频率：DC ～ 40MHz。 单电源低工作电压设计：2.00～5.00V（建议为4.3V，详见备注）。 先进的低压低功耗CMOS工艺，低静态电流（4～5mA）抗静电能力强。 采用1MHz或10MHz的晶体组成稳定的本地振荡器。 驱动能力强，输出可直接驱动8位LED的位与段显示。 有四档内部选通测量时间：0.01秒，0.1秒，1秒，10秒。 标准DIPSOP28塑封。用途1、频率测量、周期测量、3V便携式频率计等。 频率扩展，通过连接外部小数点输入实现扩展。管脚排列及定义 2.4.4逻辑框图： 2.4.5NB8216D的接法 2.5其他模块 图2.51 保持电路 图2.52内部震荡电路 图2.53闸门时间选择器 图2.54显示模块 三、SCH图 图3 SCH图 四、PCB图 图4.1 顶层 图4.2底层 PCB规格：107.3mmX72.6mm 双面版 五、元器件清单表 表1 元器件清单表 序号 名称 规格型号 代号 封装 数量 备注 1 SW-PB SW-PB RESET, S2 SWTICH 2 2 Header 5 闸门时间选择器 S1 S1 1 3 NB8216D NB8216D U1 NB8216D 1 4 LED0 LED0 D1 LED 1 5 PWR2.5 PWR2.5 POWER KLD-0202 1 6 Header 3 Header 3 P1, P5, P6 HDR1X3 3 7 Header 3 P4 P4 HDR1X3 1 8 XTAL 10MHZ Y1 HDR1X3 1 9 XTAL 4MHZ Y2 HDR1X3 1 10 Header 2 Header 2 POWER2 HDR1X2 1 11 FJ5461AH FJ5461AH LED1, LED2 FJ5461AH 2 12 SW-DIP4 SW-DIP4 S3 DIP-8 1 13 74HC04 74HC04 U2 DIP14 1 14 506 MB506 U3 DIP08 1 15 DIODE DIODE D2, D3 DIODE0.4A 2 16 BNC BNC P7 BNC_RA CON 1 17 Cap 100P C4, C10 1608[0603] 2 18 Cap 104 C1, C5 1608[0603] 2 19 Cap 33P C8, C9 1608[0603] 2 20 Cap 39P C2, C3 1608[0603] 2 21 Res2 100K R2 1608[0603] 1 22