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基于NB8216测频范围0-1G的频率计
目 录
一、设计说明 3
二、工艺流程 3
三、SCH图 3
四、PCB图 3
五、元器件清单表 3
六、焊接制作 3
七、调试与装配 3
八、过程照片 4
九、网页链接地址 4
十、竞赛评定 5
一、设计说明
设计任务要求
采用NB8216为主芯片制作测频范围0-1G的频率计(低于100Hz和高于40MHz需增加外围电路进行发挥性设计)。
1.2方案选择
本电路设计是测频范围0-1G的频率计,采用NBIC(宁波高新区甬晶微电子有限公司)提供的NB8216D高性能单片40兆频率计芯片作为主芯片,采用MB506高频分频芯片作为本设计高频的高频分配器,和采用HD74HC04P反相器对输入波形进行整形。
1.3根据设计框架进行电路单元设计和器件选择:
由于本设计有高频部分,信号的抗干扰能力严重影响本设计的成功与否,所以我们从信号源的输入就采用了BNC带屏蔽的接头,高频别测信号到芯片的线路采用最短距离的走线,尽可能地减小对信号干扰;MB506最大输入频率可达2.4GHz,远远地大于本设计的要求,并且有1/64分频、1/128分频和1/256分频选择;数码管采用两块四位一体,一共八位能够清楚得观察被测信号。
1.4被测频率的计算公式
MB506一共有三种分频模式,分别是1/64分频、1/128分频和1/256分频
如:选择的是1/64分频,数码管显示的数值为20.140615,
二、工艺流程
2.1高频被测信号的输入
由于本设计有高频部分,所以我们从信号源的输入就采用了BNC带屏蔽的接头(图2.1中的P7)全新设计的单片频率计芯片,全面取代MCU单片机测频方案。
功能兼容ICM7216D,性能更优越。
测量频率:DC ~ 40MHz。
单电源低工作电压设计:2.00~5.00V(建议为4.3V,详见备注)。
先进的低压低功耗CMOS工艺,低静态电流(4~5mA)抗静电能力强。
采用1MHz或10MHz的晶体组成稳定的本地振荡器。
驱动能力强,输出可直接驱动8位LED的位与段显示。
有四档内部选通测量时间:0.01秒,0.1秒,1秒,10秒。
标准DIPSOP28塑封。用途1、频率测量、周期测量、3V便携式频率计等。
频率扩展,通过连接外部小数点输入实现扩展。管脚排列及定义
2.4.4逻辑框图:
2.4.5NB8216D的接法
2.5其他模块
图2.51 保持电路
图2.52内部震荡电路
图2.53闸门时间选择器
图2.54显示模块
三、SCH图
图3 SCH图
四、PCB图
图4.1 顶层
图4.2底层
PCB规格:107.3mmX72.6mm 双面版
五、元器件清单表
表1 元器件清单表
序号 名称 规格型号 代号 封装 数量 备注 1 SW-PB SW-PB RESET, S2 SWTICH 2 2 Header 5 闸门时间选择器 S1 S1 1 3 NB8216D NB8216D U1 NB8216D 1 4 LED0 LED0 D1 LED 1 5 PWR2.5 PWR2.5 POWER KLD-0202 1 6 Header 3 Header 3 P1, P5, P6 HDR1X3 3 7 Header 3 P4 P4 HDR1X3 1 8 XTAL 10MHZ Y1 HDR1X3 1 9 XTAL 4MHZ Y2 HDR1X3 1 10 Header 2 Header 2 POWER2 HDR1X2 1 11 FJ5461AH FJ5461AH LED1, LED2 FJ5461AH 2 12 SW-DIP4 SW-DIP4 S3 DIP-8 1 13 74HC04 74HC04 U2 DIP14 1 14 506 MB506 U3 DIP08 1 15 DIODE DIODE D2, D3 DIODE0.4A 2 16 BNC BNC P7 BNC_RA CON 1 17 Cap 100P C4, C10 1608[0603] 2 18 Cap 104 C1, C5 1608[0603] 2 19 Cap 33P C8, C9 1608[0603] 2 20 Cap 39P C2, C3 1608[0603] 2 21 Res2 100K R2 1608[0603] 1 22
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