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MOS器件物理基础教学课件
第二章
MOS器件物理基础
2012/3/25 1
MOSFET的结构
2012/3/25 2
MOSFET的结构
Ldrawn ：沟道总长度 衬底
（bulk、body ）
LD ：横向扩散长度
Leff ：沟道有效长度，Leff ＝Ldrawn －2 LD
2012/3/25 3
MOS管正常工作的基本条件
寄生二极管
MOS管正常工作的基本条件是:所有衬源（B
、S）、衬漏（B、D ）pn结必须反偏！
2012/3/25 4
同一衬底上的NMOS和PMOS器件
MOS管所有pn结必须反偏:
*N-SUB必须接最高电位VDD ！
*P-SUB必须接最低电位VSS ！
*阱中MOSFET衬底常接源极S
寄生二极管
2012/3/25 5
例：判断制造下列电路的衬底类型
2012/3/25 6
NMOS器件的阈值电压VTH
(a)栅压控制的MOSFET (b)耗尽区的形成
(c)反型的开始 (d)反型层的形成
2012/3/25 7
NMOS管VGSVT、V =0时的示意图
DS
2012/3/25 8
NMOS管VGSVT、 0V VGS-VT时的示意图
DS
沟道未夹断条件
V =V -V ≥V V ≤V -V
GD GS DS T DS GS T
2012/3/25 9
NMOS沟道电势示意图(0V VGS-VT )
DS
dq(x) = -Cox Wdx[vGS - v(x) -VTH ]
边界条件:V(x)|x=0 =0, V(x)|x=L =VDS
2012/3/25 10
I/V特性的推导（1）
沟道单位长度电荷(C/m) 电荷移
动速度
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