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一些较常用的HSPICE仿真问题 BCD工艺库中的器件使用方法 ST3000库中的双极晶体管使用方法 库入口 有3种:biptypical,bipslow和bipfast 例:.lib “st3000.lib” biptypical 双极晶体管使用方法 语法 QX 集电极 基极 发射极 模型名 M=N 例:q1 nc nb ne qvn5x5bd m=2 q2 nc nb ne qvp5x5 m为并联个数。 工艺库中其他元件入口 St3000库中有多种耐压的MOS管,入口不同。例如 tt_5v, tt_9v, tt_20v 其他工艺角(库入口) FF,SS,FS,SF等 实际设计中的电阻电容需要使用子电路 .lib “st3000.lib” restypical 电阻入口 .lib “st3000.lib” captypical 电容入口 一个双极电路的例子 仿真文件 *------------------------------------- .option post=2 .option search=d:/hspice2011/libs .lib st3000.lib biptypical *------------------------------------- .param PVB=0.9 q1 nc nb gnd qvn5x5bd m=2 rb n1 nb 200k rd vcc nc 100k vcc vcc gnd 5 vi n1 gnd dc PVB ac 1 sin PVB 1m 1k .dc vi 0 5 0.01 .tran 0.1u 2m .ac dec 20 1 1MEG .print dc i2(q1) .end St02中的PNP管 名称:qvp5 衬底PNP 入口: .lib “st02.lib” biptypical .lib “st02.lib” bipfast .lib “st02.lib” bipslow 带隙基准电路 仿真文件 *-------------bangap-------------------- .option post = 2 .option search=d:/hspice2011/libs .lib st02.lib tt .lib st02.lib biptypical *--------------------------------------- m1 n1 n1 n2 gnd mn w=30u l=6u m=3 m2 n3 n1 n4 gnd mn w=60u l=6u m=16 m3 n1 n3 vdd vdd mp w=30u l=6u m=3 m4 n3 n3 vdd vdd mp w=30u l=6u m=3 m5 n6 n3 vdd vdd mp w=30u l=6u m=3 q1 gnd gnd n2 qvp5 m=1 q2 gnd gnd n5 qvp5 m=8 q3 gnd gnd n7 qvp5 m=8 r1 n4 n5 4.3k r2 n6 n7 8.68k vdd vdd gnd 3.3 .dc vdd 0 3.3 0.1 .dc temp -20 80 1 .meas dc vmax max v(n6) from =-20 to=80 .meas dc vmin min v(n6) from =-20 to=80 .meas dc vavg avg v(n6) from =-20 to=80 .meas vtcppm param=((vmax-vmin)/(vavg*100))*1e6 .end .alter语句使用方法 作用 自动进行多次仿真,每次可以同时改变多个参数。 例:.param PVDD=3 PVB=1 在原有仿真语句后写 .alter .param PVDD=5 PVB=0.9 则自动使用新参数重新执行一次仿真。 工艺角分析 使用.alter语句可以做工艺角分析,即分析在各种工艺偏差下的结果。 例:.alter .lib “st3000.lib” bipfast .alter .lib “st3000.lib” bipslow 改变长度单位的方法 使用 .option scale=1u 可以将长度单位定义为1um。 仅对长度起作用. 以后写 M1 ND NG NS NB W=2 L=0.5 表示W为2um。 仿真的合理性问题 理想信号源具有0内阻,在测量逻辑电路速度时不合理,应加两级反相器整形。 逻
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