化学助剂作用下银纳米线生长机制与尺寸控制的研究-电子元件与材料.PDFVIP

第36 卷 第1 期 电 子 元 件 与 材 料 Vol.36 No. 1 20 17 年1 月 ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS Jan. 20 17 综 述 化学助剂作用下银纳米线生长机制与尺寸控制的研究进展 雷博文，堵永国，王 震 （国防科学技术大学 航天科学与工程学院 材料科学与工程系，湖南 长沙 410073 ） 摘要: 介绍了液相法制备银纳米线（AgNW ）过程中常用的阳离子型控制剂、阴离子型控制剂和分子型控制剂 三类化学控制剂对银纳米线尺寸的影响；阐述了不同种类化学控制剂的作用机理，总结了化学控制剂作用下银纳米 线的形成机制，分别是：多孪晶颗粒单轴生长机制、溶解平衡机制、定向附着机制以及自组装机制；对液相法制备 银纳米线