提拉法晶体生长资料收集.doc

1、温场设计 温场设计对晶体生长产生直接的影响,在晶体生长过程中,径向和纵向温度分布是温场设计的重点。直接调整相对于感应线圈的柑竭位置的高低(锅位),就可以调整纵向温度分布。底盘的厚度、下保温系统的厚度、保温砂的粒度主要影响熔体表面对流和径向温度分布。上保温系统的高度、观察窗口的大小、高低将影响作为热传输介质的保护气体的对流状态。温场设计时既要考虑热量的导出,又要保证热场的均匀性和稳定性。纵向温度分布、径向温度分布和保护气体的传热对流这三者是密切联系的。根据柑祸的纵横比、感应线圈的尺寸、线圈中增锅的位置来改进和优化温场 2、保护气氛 根据热传递原理在高温生长室腔体中因为较高气压的氮气氛必然加速气体对流,并易于把热是从腔体内传递到腔体外,从而有利于建立大温度梯度的沮场分布,保证了 晶体正常生长,如果对生长室进行抽气,使之变成真空状态,此时在腔体内对流传热消失,而由于;胜体内壁的辐射,促使了腔体内温度更快趋于平衡。这些都有利于在腔体内建立小梯度的温场分布,从而满足了晶体生长后冷却退火时对温场的要求 坩锅内熔体的对流状态,直接决定着晶体生长过程中固液界面的形状:对于凹界面状态,由于固液界面处于凹界面时,晶体生长处于一种极不稳定的状态,生长出的晶体散射严重,缺陷密度大,因此是晶体生长过程中必须尽量避免的。凸界面生长方式下,由于存在着小面生长和“死区”Deadzone)现象,因而晶体实际选材面积远小于晶体的截面积。平界面下生长出的晶体没有核心和侧心,整个截面均可以选材用以加工大尺寸的晶体元件。由于在实际晶体生长过程中,固液界面的形状由多种因素所决定,因此界面形状是不能随意选择的。究竟采用什么样的界面来生长晶体,除了要考虑晶体实际应用要求外,还要考虑到材料自身的物化特性。