finFET学习摘要.ppt

FinFET学习摘要 MOSFET的结构类型 全耗尽SOI MOSFET器件 双栅MOSFET SiGe/Si应变沟道SOI器件 FinFET器件 等 超薄体SOI器件、平面双栅器件、环绕栅器件、FinFET器件 FinFET特点 晶体管的沟道与薄硅表面垂直，且能够被薄硅两面的栅电极所控制 两个栅能够互相自对准，并实现了与源/漏区的对准 具有穿越的源/漏区 准平面拓扑关系工艺上容易实现。 由于硅薄片两面具有自对准的双栅电极，使得栅对沟道电势控制更加完备，从而增加了器件的电流驱动能力和器件抑制短沟道效应的能力，并增加了器件的跨导，减小了DIBL效应和阈值电压随沟道长度的变化量等。 FinFET特点 FinFET器件不依赖提高衬底掺杂浓度来抑制短沟道效应，因此FinFET器件的沟道可以采用低掺杂设计，从而避免了沟道内杂质对载流子的散射效应和杂质涨落效应对器件性能的影响。 Short-channel effects （1）影响阈值电压的短沟、窄沟效应 沟道长度减小到一定程度后,源、漏结的耗尽区在整个沟道中所占的比重增大,栅下面的硅表面形成反型层所需的电荷量减小,因而阈值电压减小。同时衬底内耗尽区沿沟道宽度侧向展宽部分的电荷使阈值电压增加。当沟道宽度减小到与耗尽层宽度同一量级时，阈值电压增加变得十分显著。短沟道器件阈值电压对沟道长度的变化非常敏感。 （2）迁移率场相关效应及载流子速度饱和效应 低场下迁移率是常数,载流子速度随电场线性增加。高场下迁移率下降,载流子速度达到饱和,不再与电场有关。速度饱和对器件的影响一个是使漏端饱和电流大大降低，另一个是使饱和电流与栅压的关系不再是长沟道器件中的近平方关系，而是线性关系。 （3）影响器件寿命的热载流子效应 器件尺寸进入深亚微米沟长范围，器件内部的电场强度随器件尺寸的减小而增强,特别在漏结附近存在强电场，载流子在这一强电场中获得较高的能量，成为热载流子。热载流子在两个方面影响器件性能:1)越过Si-SiO2势垒，注入到氧化层中，不断积累，改变阈值电压，影响器件寿命；2)在漏附近的耗尽区中与晶格碰撞产生电子空穴对，对NMOS管，碰撞产生的电子形成附加的漏电流，空穴则被衬底收集，形成衬底电流，使总电流成为饱和漏电流与衬底电流之和。衬底电流越大，说明沟道中发生的碰撞次数越多，相应的热载流子效应越严重。热载流子效应是限制器件最高工作电压的基本因素之一。 （4）亚阈特性退化，器件夹不断 亚阈区泄漏电流使MOSFET器件关态特性变差，静态功耗变大。在动态电路和存储单元中，它还可能导致逻辑状态发生混乱。因而由短沟道引起的漏感应势垒降低(DIBL)效应成为决定短沟道MOS器件尺寸极限的一个基本物理效应。 DIBL效应是指，当漏极加上高电压时。由于栅很短，源极同时受到漏极电场的影响，在此电场影响下，源结势垒降低。且漏极耗尽层扩展，甚至跟源结的耗尽区相连，至使器件无法关断。 为降低二级物理效应的影响，实现短沟道器件，要在器件结构上加以改进。一方面设法降低沟道电场，尤其是漏端电场；另一方面要消除PN结之间、器件之间的相互作用。因此出现了轻掺杂漏MOS结构(LDD)和绝缘衬底上硅结构(SOI)。 DEVICE CHARACTERISTICS 阈值电压Vth（源端反型时的栅源电压）：在给定Vd=0.1V下，改变栅电压Vg，当Id=(W/L)*10nA时的Vg; 影响因素：栅氧化层中正电荷密度，衬底掺杂浓度，单位面积栅氧化层电容（介质介电常数、厚度等），栅材料与衬底的功函数差等。 DEVICE CHARACTERISTICS 亚阈值因子S(subthreshold swing): S = dVgs / d(log10 Id)，单位是[mV/dec] S是从Vg-Id曲线上的最大斜率处提取出来的,在数值上等于为使漏极电流Id变化一个数量级时所需要的栅极电压增量ΔVgs ，反应了栅电压对Id的控制能力; 为了提高MOSFET在亚阈区的工作速度，S值越小越好（最小理论值60mV/dec,T=300K)。 影响因素：衬底反向偏压，界面陷阱，温度等。 DEVICE CHARACTERISTICS DIBL， Drain Induction Barrier Lower σ=d(Vth)/d(Vds),单位是[mV/V] DIBL效应是指，当漏极加上高电压时。由于栅很短，源极同时受到漏极电场的影响，在此电场影响下，源结势垒降低。且漏极耗尽层扩展，甚