SiC晶须的含量对ZTA陶瓷基复合材料抗热震性能的影响.docx

SiC晶须的含量对ZTA陶瓷基复合材料抗热震性能的影响缪世群1葛存旺2(1.南通工学院基础部,江苏南通,226007;2.南通师范学院化学系,江苏南通,226007)摘要:采用国产SiC晶须(SiCW)制备SiCWZTA陶瓷基复合材料,研究了SiC晶须含量对复合材料的抗热震性能的影响.关键词:晶须;陶瓷;复合材料;抗热震性能中图法分类号:TB321;TB33文献标识码:A文章编号:1007824X(2002l2O3陶瓷是价格较廉、应用较广的工程结构陶瓷,但单相Al2O3陶瓷的抗热震性能欠佳,对一些抗热震性能要求较高场合的应用受到限制.采用晶须补强方法,可使Al2O3为基的复合陶瓷材料的强度、断裂韧性及抗热震性能获得不同程度的提高1,2.但在有关SiCW?Al2O3复合材料的研究中,研究者大多使用价格昂贵的国外晶须,且对抗热震性能的报道较少.笔者采用国产SiCW制备SiCWZTA复合材料,研究了SiCW含量对材料的抗热震性能的影响.1实验方法与结果SiCW为中国科学院上海硅酸盐研究所中试基地表1陶瓷复合材料成分配比(体积百分比)Tab.1Componentpartsofceramiccomposite(volumepercentage)%生产,纯度99%、直径0.5～1.0Λm,长度30～100Λm,Β晶相,经24h球磨后长径比约为20～30,于酒精中边超声振动边搅拌以便与其他原料混合,ΑAl2O3粉为外购,纯度99.5%,平均二次粒径样号ΑAl2O33YTZPSiCWMgOabcd90817263109870102030外加,质量为Al2O3粉的015%1.38Λm,经24h球磨后为0.87Λm,ZrO2粉中Y2O3摩尔百分比含量为3%,系采用化学共沉淀法自制而成,平均二次粒径0.70Λm.按表1的成分配比,将三表2陶瓷复合材料试样的相对密度和力学性能Relativedensityanddynamic种原料及少量MgO用酒精球磨混合8h,经离心甩干、干燥、过筛后,在石墨模中于Ar气氛下热压烧结,Tab.2performanceofceramiccomposite压力24MPa,1650℃保温1h,炉冷.热压后材料经SiCW?体积分数相对密度?抗弯强度?KIC?样号切割、磨削、研磨抛光制成4mm×3mm×36mm、2.5mm×5mm×26mm的试样,分别进行密度、三点弯曲强度和KIC的测定;KIC试样缺口宽0.23mm,深2.5mm;在试验结果中,抗弯强度为10根试样的平均值;KIC为6～8根的平均值,概括如表2所示.MPa·m1?2%MPaabcd0.00.10.20.399.099.598.196.83896356295305.676.096.757.52用日本理学电机D?maxΧBX射线衍射仪对断裂韧性试样抛光表面和断口进行相结构分析,由各组试样XRD谱线峰高的数值结果根据公式3m(%)=Im(1,1,1)+Im(1,1,-1)]?[Im(1,1,收稿日期:2000092841第1期缪世群等:SiC晶须的含量对ZTA陶瓷基复合材料抗热震性能的影响1)+Im(1,1,-1)+It(1,1,1)]计算mZrO2相的含表3陶瓷复合材料试样抛光表面和断口的mZrO2相含量量,结果见表3.将2.5mm×5mm×13mm的试样在不同温度下加热,保温10min后迅速急冷,水中急冷时间1s,水温为3℃,重复3次后,用带标尺的光学显微镜(100×)观察抛光表面出现裂纹与否并测量裂纹长度,弯曲裂纹以逐段测量后的迭加值计算,取10根的平均值,结果见表4.Tab.3Phasecontentonpolishingsurfaceandrupturesectionofceramiccomposite%断裂过程中t→m相变量样号抛光表面m相断口m相0015.839.715.831.138.553.415.831.122.713.7abcd2讨论SiCW具有高弹性模量和抗拉强度,在晶须与基体表4陶瓷复合材料的热震实验结果与裂纹平均长度Tab.4Thermalshockresistanceandaveragelengthofcrackmm界面结合较好的情况下可通过载荷传递而达到补强效果;当晶须均匀分布于基体中并在材料达到致密的情况下,可抑制基体晶粒长大,促进晶粒细化,减少孔隙缺陷,也有利于复合材料强度的提高.但晶须加入也有不利的一面,当晶须与基体的热膨胀系数(TEC)失配(ΑmΑW)时,晶须将受到应力导致基体内形成大的拉应力,则不利于提高强度.文献4指出晶须含量越大,基体内平均拉应力亦大,其计算公式为:Ρm=(Αm-ΑW)EWVW?tg?1+?t?℃样号500550600800850900950abcd○○○○1.01○○○1.58○○○