介质表面高功率微波击穿中释气现象的数值模拟研究.pdfVIP

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2017-12-19 发布于河北
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介质表面高功率微波击穿中释气现象的数值模拟研究

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 60 ，No. 2 (2011) 025217 介质表面高功率微波击穿中释气现象的数值模拟研究蔡利兵1) 王建国1)2 ) 1)( ， 7 10024 ) 西北核技术研究所西安 2 )( ， 7 10049 ) 西安交通大学电子与信息工程学院西安 (2009 12 24 ;20 10 4 27 ) 年月日收到年月日收到修改稿 (HPM) ， PIC (partiele-in-cell )-MCC (Monte Carlo 建立了一个简单的高功率微波介质表面击穿释气模型并采用 collisions) ， HPM 方法通过自行编写的介质表面击穿数值模拟程序对不同释气条件下的介质表面击穿过程进行了， . ，数值模拟研究得到了击穿过程中电子数量等的时间图像和不同释气速度下的击穿延迟时间模拟结果表明对于 HPM ，，具有一定时间宽度的脉冲当介质表面气体脱附速度较小时由于介质表面气体层形成太慢而不会发生击 ; ， . 穿只有当脱附速度大于一定值时击穿才会发生且击穿延迟时间在一定范围内随着脱附速度的增加而缩短最， HPM ，，后将数值模拟得到的介质表面击穿数据与单极性表面击穿的实验诊断图像进行了对比两者的发展趋势符合很好. : ，，，关键词释气现象介质表面击穿高功率微波数值模拟 PACS :52 . 80 . Pi ，52 . 65 . － y ，52 . 20 . Fs ，、释气现象由于对介质表面吸附气体的种类密度， . 1. 引言及脱附速度的复杂性目前还缺乏定量研究本文，建立了一个简单的介质表面击穿释气模型并通过随着高功率微波(high power microwave ，HPM ) PIC (particle-in-cell)-