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实验n 用SRAM扩展单片机RAM 实验项目名称：用SRAM扩展单片机RAM 试验项目性质：普通 所属课程名称：单片机 试验计划学时:2学时 一．试验目的 1.用SRAM 6264扩展AT89C51单片机RAM存储器（6264为外.用RAM）。 2.用proteus 设计、仿真基于AT89C51单片机RAM扩展实验。 3.用proteus VSM的高级仿真图表观察分析单片机访问外部RAM时的信号状态。 二．PROTEUS电路设计 用SRAM 6264扩展AT89C51单片机RAM存储器电路原理图如图4-13所示，整个设计都在ISIS平台进行。 图4-13 扩展单片机RAM实验电路原理图 从PROTEUS库中选取元器件 ① AT89C51:单片机； ② RES：电阻； ③ BUTOTON:按钮； ④ CRYSTAL:晶振； ⑤ CAP、CAP-ELEC:电容、电解电容； ⑥6264：SRAM存储器； ⑦ 74LS373:八D存储器； 2.放置元器件、放置电源和地线、元器件属性设置、电气检测 参考图4-13，在ISIS的编辑区中设计迪娜路，具体操作参考前面实验。地址总线与数据总线要标注，标注方法参考实验单片机中断优先级实验。 三．源程序设计、生成目标代码文件 1．源程序设计 通过菜单“Source→Add/Remove Source Files…”新建源程序文件6264.asm. 通过菜单“Source→6264.asm”,打开PROTEUS提供的文本编辑器SRCEDIT，在其中编辑如下源程序： ORG 0 SJMP STAR ORG 10H STAR：MOV DPTR,#1456H; MOV A, #55H; MOVX @DPTR,A; ;对外部RAM 1456H单元写入数据55H CLR A; MOVX A, @DPTR; ;对外部RAM 1456H读出数据到A NOP MOV A, #98H; INC DPL MOVX @DPTR,A; ;将#98H写入外部RAM 1457H NOP MOVX A, @DPTR; ；从外部RAM 1457H读出数据到A NOP SJMP STAR END 程序编辑好后，点击存入文件6264.ASM。 生成目标代码文件 通过菜单“Source→Build All”编译源程序，生成目标代码文件6264.HEX。若编译失败，对程序修改调试直至编译成功。 四．POTEUS仿真 1.加载目标代码文件 打开单片机属性窗口，在”Program File” 栏中添加上面编译好的目标代码文件6264.HEX；在”Clock Frequency” 栏中输入晶振频率12MHZ。 2.仿真 单击按钮，启动仿真。单击按钮，仿真暂停，此时会弹出源代码调试窗口，若未弹出，则通过菜单“Debug→8051CPU→Source Code-U3”打开。为验证电路以及程序设计正确与否，可在源代码窗口调试边查看相应的存储器、寄存器内容。 ① 通过菜单“Debug→8051CPU→Source Code-U3”，打开CPU特殊功能寄存器SFR。 ② 通过菜单“Debug→Memory Contents-U3”,打开6264存储窗口。 ③ 添加重要变量到窗口，通过“Debug→Watch Window”,在弹出的观察窗口右击，选择以观察项的名称添加观察项，弹出图4-14所示的对话框，添加累加器ACC数据指针DPTR。 图4-14 以寄存器的名称添加观察项 ④ 设置仿真断点。在源代码调试窗口要设置断点的行左双击，出线表示断点的红色实心圆如图4-15所示。 图4-15 以6264扩展单片机RAM源代码调试片段 ⑤单击按钮，启动仿真。当运行到断点时暂停，可查看相关的寄存器及存储器的变化如图4-16所示。当前程序暂停在第三个断点处，至此已执行的程序把数据55H写入外RAM626的1456H单元，然后在读入ACC中，所示存储器窗口1456H的内容为55H，其他单元的内容为0；观察窗口ACC中的内容为55H，DPTR中的数据为1456H，即DPTR指向该存储单元。继续点击，可观察打牌ACC和DPTR内容的变化，与控制程序的要求一致，这说明 所设计的一以6264扩展的RAM电路及程序的正确性，读/写外部RAM正确。 五．用高级图表ASF仿真观测单片机读/写外RAM的时序 1.高级图表ASF介绍 PROTEUS“高级图表ASF仿真”是“基于图表的仿真”。它能将仿真运行情况铺捉到一张图表上，以便细致分析研究和测量；它还有缩放功能用以观察全局或是对局部进行细致研究、测量。 基于图表的仿真是对难以进行实时分析对象的有效处理方法，如小信号交流分析、噪声分析个