第4章蚀刻技术.pdfVIP

第四章 蚀刻技术 第四章 蚀刻技术 （Etching ） §4.1 引言 蚀刻 （Etching ），在微细与纳米加工技术中的含义是选择性地去除表面薄层的物 质。在微细加工技术中，蚀刻通常是在光刻过程以后，即是在抗蚀胶上开出了窗口之 后进行。经过光刻后，在蚀刻过程中，残留的抗蚀胶结构是一个具有抵抗蚀刻作用的 掩模。所以，对蚀刻的技术要求包括： ● 蚀刻速度：每分钟蚀刻多少纳米或多少埃； ● 蚀刻的选择性：腐蚀去掉抗蚀胶掩模的开孔（窗口）下面的衬底材料，但尽 可能不腐蚀抗蚀胶及其下面覆盖的衬底部分（钻刻）；对暴露的衬底和抗蚀胶 蚀刻速度的比值称为蚀刻的选择比； ● 蚀刻的均匀性； ● 蚀刻的各向异性性能：理想的光刻以后的蚀刻工艺希望是单方向、垂直向下 的，即希望它是各向异性的。但实际的蚀刻都不仅仅是单向（纵向R V ）的； 还有横向腐蚀（RL ）。蚀刻的各向异性性能可以使用蚀刻速度的各向异性指数 A 来表征： A 1−R R L V RL 和 R V 分别代表横向和纵向的蚀刻速率。一般来说，蚀刻时不理想的各向异 性是一个不利的因素。横向蚀刻造成钻刻 （undercut ）和蚀刻的偏差。一般的 光刻工艺中, 理想的无偏差的蚀刻要求A = 1. A = 0 意味横向的蚀刻达到与 纵向蚀刻同等的地步。 蚀刻的各向异性性能也有有利的场合。例如，用以形成 MEMS 技术中的 牺牲层和自由梁等。 图4-1 横向蚀刻和蚀刻误差 1 第四章 蚀刻技术 图4-2 纵向蚀刻 ● 分辨率和纵横比 （aspect ratio ）：由蚀刻的均匀性和蚀刻的各向异性等因素共同限 制了通过蚀刻过程形成的微细结构的最小特征尺度和纵横比（深度/宽度比）。下 面会讨论到，干法蚀刻具有高于传统的湿法蚀刻的分辨率和纵横比。 ● 蚀刻过程还有另一个要考虑的问题：蚀刻可能造成下面衬底材料的物理和化 学的损伤。 §4.2 湿法（化学）蚀刻 湿法蚀刻的含义是，使用含化学腐蚀剂的溶液来腐蚀和溶解去除薄膜物质；但希 望抗蚀胶和衬底物质大体上不受蚀刻作用。腐蚀反应的生成物也应当溶解在液体里被 带走。 当蚀刻形成的结构包含很细的沟道和空腔时，这里的局部位置处溶液不易流通， 会很快的饱和。这使蚀刻的速度变得很慢。这时就必须用加超声波或搅拌的办法更新 这些蚀刻位置的溶液。当溶解过程具有气态的反应生成物时，还会出现气泡。加超声 波也有利于搅动溶液，减小气泡的附着力，并带走这些气泡。 湿法蚀刻还可以在电解槽中进行。在液体里加入电极，可以用电的方法驱动电化 学反应，去除薄膜的表层物质，用离子流来带走反应生成物。 对于不同的金属、绝缘体或电介质被蚀刻物质，已有人做过系统的研究，可以查 表选择合适的溶液。 例 1 SiO 的腐蚀：用稀释的HF 溶液腐蚀 SiO 。腐蚀液的成分是： 2 2 水 ：HF ＝ 6 ：1， 或 10：1， 或 20 ：1 （体积比） 腐蚀的化学反应是： 2 第四章 蚀刻技术 SiO + 6HF → H + SiF + 2H O 2 2 6 2 6:1 的溶液对热氧化形成的 SiO 膜的腐蚀