关于深亚微米器件GOI及NBTI可靠性问题的研讨.pdfVIP

目 录 摘 要………………………………………………………………………………．1 ABSTRACT……………………………………………………………………………………………………．2 弓I 言…………………………………………………………………………………………………………．．zI 第一章可靠性的相关理论基础……………………………………………………．．9 第一节可靠性工作的意义与内容………………………………………………．．9 第二节器件可靠性的一些数学基础……………………………………………1l §1．2．1器件可靠性常用的几个数学概念……………………………………。ll §1．2．2可靠性各主要特征量之间的关系……………………………………．．12 §1．2．3器件失效的一般规律…………………………………………………．．13 §1．2．4可靠性分析中常用的几个寿命分布模型……………………………．．14 第二章GOI测试方法和相关理论的研究…………………………………………17 第一节关于栅氧化层与击穿模式的背景介绍…………………………………17 7 §2．1．1栅氧层中的电荷类型…………………………………………………．．1 §2．1．2栅氧层的击穿模型……………………………………………………．．19 第二节栅氧化层的击穿分类与测试结构………………………………………．21 §2．2．1栅氧击穿分类…………………………………………………………．．21 §2．2．2栅氧化层的测试结构…………………………………………………．．22 第三节栅氧化层的测试方法与失效判定………………………………………24 §2．3．1测试方法………………………………………………………………．．24 §2．3．2失效判定……………………………………………………………………30 第四节栅氧化层的数据分析……………………………………………………．32 §2．4．1数据分类标准与模型运用……………………………………………．．32 §2．4．2测试样品数量的确定与缺陷密度的换算……………………………．．38 第五节超薄氧化层下的测试挑战与实例分析…………………………………40 第六节栅氧化层在线上制程的控制……………………………………………．．49 第三章NBTI测试方法和相关理论的研究………………………………………．52 第一节关于NBTI效应的背景及失效模型……………………………………．52 第二节NBTI的测试方法与失效判定……………………………………………55 §3．2．1NBTI的测试流程………………………………………………………．．55 NBTI的失效判定………………………………………………………．56 §3．2．2 rllllllrillfillIIf IIII Ill Y1 971278 §3．4．2关于AC下的NBTI测试………………………………………………61 第四章总结和展望…………………………………………………………………．66 第五章附录…………………………………………………………………………．67 参考文献………………………………………………………………………………68 后 记……………………………………………………………………………………………．71 II 摘 要 随着技术的不断发展，电路的不断复杂，工艺制程的不断进步，从过去的 至45nm的由研发阶段到量产阶段。伴随着CMOS栅氧化层的厚度，沟道长度 的持续等比例缩小，MOS器件各个电参数变得越发的不稳定，诸如