强流离子注入机防晶片电荷积累设计研究.pdfVIP

2005年12月 第十三届全目电子束·毒子束·光子束学术年套 湖南·长沙 强流离子注入机防晶片电荷积累设计 宁宗娥余鹏程 (中国电于科技集团公司第四十八研究所 长沙410111) 摘要：本文分析了离子注入机中晶片电荷积累的原因及影响，讨论了几种中和方法，并利用电子 中和技术原理，设计了电子淋浴器，实际应用于强流离子注入机。改善了晶片上的电荷积累。 关键词：强流离子注入；晶片电荷积累；电子淋浴器。 1，前言 离子束注人到带有绝缘层(如氧化层、光阻材料、多晶硅)的晶片上，就会在绝缘层上形成电荷积 累层。即晶片电荷积累。离子注入过程中晶片表面溅射的二次电子加重了电荷积累效应。特别是强流 离子注人机，如果电荷积累效应没有得到补偿，结果会使器件达到很高的电势，破坏绝缘层，即使没有 达到如此高电势，晶片电荷积累也会影响离子束的传输，影响注入均匀性，结果也会降低器件的成品 率。 随着大规模集成电路的发展，集成度不断提高，线宽的不断减小，以及晶圆片大径化，为了提高生 产效率，采用大束流注入，电荷积累效应是非常严重的。因此为了满足ULSI生产工艺的需要，强流离 子注入机要充分考虑防晶片电荷积累问题。本文分析了离子注入机中晶片充电的原因及影响，讨论了 几种中和方法，利用电子中和技术原理，设计了电子淋浴器，实际应用于强流离子注入机。改善了晶片 上的电荷积累。 2、晶片电荷积累的原因及中和方法 2．1柬空间电荷电势 束空间电荷电势是由离子束空间电荷产生的从束中心到真空管壁的电势差。对于不含中和电子 的圆形束，束中心到真空管壁的柬空间电荷电势为“】： u=(去]·㈡i{1+2h(勒 式中I。为束流，m和g分别为离子质量和电荷量，E为离子束加速电势，r为束半径，R为真空管 的半径。 上式说明束空间电势与离子束流密度成正比，与束流强度成正比，与离子速度(勾Elm)”成反比。 对于重离子，如As，低能强流束势将超过1000V。实验表明：离子注入到绝缘层的晶片上．晶片的 电势很快达到离子束空间电荷电势电位。显然如果离子束没有中和，其结果将会使器件损坏。实际上 束中捕获一定量的低能离子，束电势及晶片的电势将会降低。如使束势保持在IOV以内，束流将99％ 中和。其它因素如束径对晶片电荷积累也有影响，但束中和是最关键的。 2．2柬空间电荷自中和现象 离子束在传输过程中，将与剩余气体发生碰撞，产生低能二次电子和气体离子，即 -201- 2005年12月 第十三届全国电子柬·离子束·光子束学术年会 湖南·长沙 B++G———————’B++G++e 这种二次电子被离子束捕获并在束势约束下漂移，可以在一定程度上中和束空间电荷电势。电离 碰撞有效截面为2x10-1$cn12,离子束复合的有救截面很低(10一l＆m2)。 对离子束IB，单位时间产生的电子数为“I： 百dNe=㈡陋／76。) 数为： ， Ns=也ZIqXm／2qE)； 当M=几时，离子束达到中和．所需的时间为： r=760丫mLploJk2qE)j 度下，离子束在一定时间内可以达到自中和。 2．3晶片电荷积曩对柬传输的影响 当一束未被中和的强流离子束入射到带有绝缘层的晶片表面时，会在绝缘层(如栅氧化层)表面 积累正电荷，且由于晶片表面=次电子的发射加剧了晶片电荷的积累效应。晶片带正电时，束中的低 能电子被吸引到晶片上，以中和静电积累。由于柬中失去二次电子，则柬空问电荷增加，束斑扩大。但 经过几微秒到十几微秒的时间束达到自中和，空间电荷降低、束斑恢复到原来的大小。因此在靶室附 近由于晶片电荷的积累将使得离子束不断地扩大……缩小……扩大。由于束斑的变化使得注入晶片 的剂量不均匀”。 对于电荷积累引起的注入剂量不均匀和绝缘层破坏，解决的办法一是防止二次电子回流。另外最 重要的是不断地向束中补充低能二次电子，使得靶室前离子束中保持足够的二次电子流，保持束处于 较稳定的