氮化镓材料中深能级中心光离化谱测试与分析.pdfVIP

第30卷，第8期 光谱学与光谱分析 20l and 0年8月 Spectral August，2010 Spectroscopy Analysis 氮化镓材料中深能级中心光离化谱测试与分析 王 莹1，李素云1’2，尹志军3 1．安徽大学电子科学与技术学院，安徽合肥230039 2．安徽大学现代教育技术中心，安徽合肥230039 3．中国科学院固体物理研究所材料物理重点实验宅，安徽合肥230031 摘要设计了一种可用于测试氮化镓材料深能级中心光离化截面的光谱测试方法，该方法建奇=在使用 PID技术控制氮化镓样品中光电流变化为恒定值的基础E，结合光电流测试、霍尔效应、光强度测试等实验 手段给出深能级中心光离化截面的实际值。使用该方法得到的光离化截而测试误差同光电探测器对不同入 射光子的响应能力有关，光离化截面测试误差随入射光子能量增加不断增大，在入射光子能量较高的情况 下，光离化截面测试误差约为8％。对氮化镓材料深能级中心光离化谱分析发现，即使在入射光子能量小于 深能级同导带之间能量差2．85 eV的情况下，深能级中心仍能在一定程度上吸收该能餐的入射光子，表明深 能级中心缺陷同周围晶格产生一定程度的耦合。 关键词光离化谱；氮化镓；深能级中心；品格弛豫 中图分类号：0472+．8文献标识码：A DOI：10．3964／i．issrL1000-0593(2010108—2219—04 级光离化谱分析的DX中心缺陷理论和实验研究在指导 引 言 GaAs幕材料生长和器件制备上作中获得r巨大成功[”引。 然而在测试GaN中光离化谱时，深能级瞬态光谱法却受到 鉴于氮化镓(galliumnitride，GaN)材料本身具有的优越限制，由于GaN材料禁带较宽，相应深能级中心能级同晶格 性质及其在微波功率器件领域应用中潜在的巨大前景，可以 耦合程度较高，因此即使在很高温度下，被深能级捕捉的载 预占在5～30GHz频段，该材料系统将在微波功率器件领域 流子的发射率也很难同率窗值匹配【l引。目前，相对于材料生 占有不町取代的地位【1’2]。但是，在GaN／A1GaN异质结场长、器件制备方面的突毡猛进，有关GaN材料中深能级特性 效应晶体管实用化之前，仍有许多重要基础问题嗳待解决。 的实验研究工作仍处于一种相对滞后的状态。需要开发一种 其中，由于深能级中心存在引起的持续光电导效应睁5]以及 能够准确测试GaN材料中深能级中心光离化谱的方法来弥 补当前实验研究的不足。 与该效应相关的器件电流崩塌现象【6’7j是GaN基材料和器 件实用化之前必须解决的问题。因此，通过特定的方法针对 最近，我们小组报道了一种基于PID技术的光离化截面 引起持续光电导现象和电流崩塌效应的深能级缺陷进行研 测试方法，通过控制半导体材料中的光电流变化，结合(1) 究，探讨与深能级缺陷相关的性质及其对器件输运性能的影 式可以得到不同入射光子情况下材料中光离化截面的相对 响有着重要的意义。 值【14] 深能级中心的光离化谱又称为深能级缺陷的“指纹”鉴 口(励)OC而1 (1) 定，同一种深能级缺陷在材料和器件结构中将展现出相间的 但是，在很多情况下，需要知道光离化截面的实际值才能对 光离化谱谱型，通过深能级中心的光离化谱谱型分析，可以