用开路电压法测硅太阳电池中少数载流子寿命-中国科技论文在线.PDF

中国科技论文在线 第 24卷 第 3期 太 阳 能 学 报 V01．24．No．3 2003年 6月 ACTA ENERGIAE SOLARIS SINICA Jun．，2003 文章编号 ：0254—0096(2003)03—0340—04 用开路 电压法测硅太 阳电池 中 少数载流子寿命 陈凤翔1，崔容强1，孟凡英 ，林书铨1，唐敦乙1，罗售余2 (1．上海交通大学物理系太阳能研究所 ，上海 200240；2上海交通大学物理系光学与光子学研究所 ，上海 200240) 摘 要 ：太阳电池基区的少数载流子寿命是影响 电池效率 的重要因素之一。开路 电压衰减法 (OCVD)具有 直接、简单 、 重复性好等特点 ，可准确测 量器件 的少数载流 子寿命 。该文分 别介 绍 了利 用纳秒 激光 器和发 光 二极管 (LED)作 为 OCVD的光源 ，测量晶体硅太阳电池的少子寿命 ，结果发现可以利用脉冲信号发生器带动发光二极管作 为脉冲光源 ，取 代纳秒激光器 ，来测量单 晶硅和多晶硅太 阳电池 的少子寿命 。 关键词 ：多晶硅太 阳电池 ；开路 电压衰减法 ；少数载流子寿命 中图分类号 ：TN307 文献标识码 ：A 0 引 言 1 理论 当一束脉冲光照到 n P半导体上时 ，在半导体 太 阳电池基 区的少数载流子寿命 (r)是影 响器 内将产生大量 的光生载流子 ，从 n 区注入 到 P区的 件光 电转换效率 的重要参数之一L1j。 目前世界上 大量 电子形成稳定 的过剩少子 △n。在脉冲光结 束 最高的单晶硅太 阳电池 的效率为 24．7％ ；对于多 后，积累在 P区的过剩少子如同一个充 电电容器，在 晶硅 ，由于大量 的晶界充 当了陷阱和复合 中心 ，导致 充 电电源撤销后仍储存在 电容器 中的电荷将使样 品 电池转换效率的下降，最高效率 的多晶电池的效率 两端仍有 电压存在 ]。采用外加示波器 (探头 电阻 只有 19．8％ J。为 了进一步提高 电池 的性能，降低 不低于 10Mf~，认为太阳电池处于开路状态)探测太 器件的复合损失 ，就必须不断优化 电池 的体参数及 阳电池上存在 的电压 。由于开路状态下样 品P区电 表面参数 ，这其 中就包括 了电池基 区的少数载流子 子 只能通过复合来逐渐消失 ，因此 ，样 品两端剩余 电 寿命 。可以说 ，准确地测量硅 中少数载流子寿命对 压随时间下降的快慢 ，将反 映过剩载流子在 P区复 提高太 阳电池性能至关重要 。人们 已经采用一系列 合的快慢 。通过示波器显示光 电压 的衰减速率 ，就 方法 ，如光 电导衰减 (PCD)L3j、双脉冲法HJ等来测量 可推算出P区的少数载流子寿命 。 少数载流子寿命 ，但这些方法 只能测量原始 的硅材