电学性能课件1.ppt

三、材料的电学性能 内容：材料的导电、介电、热电性能，半导体的导电敏感性、材料的绝缘性，金属材料的电导 （一）导电性能 1、基本概念 基本公式： 根据电阻率的大小，材料可分为导体 ( 10-2 ?m)、绝缘体 ( 1010 ?m) 和半导体 (10-2 -- 1010 ?m) 。 载流子：电荷的载体。金属的载流子：电子；无机非金属的载流子：电子、离子。数量占多数的载流子：多数载流子 (major charge carrier) 电子电导：载流子为电子，具有霍尔效应。Ey = RHJxBz 离子电导：载流子为离子，存在电解效应。离子的迁移伴随一定的质量变化，离子在电极附近发生电子得失而形成新的物质。 1、基本概念 迁移数（输运数）：载流子对材料导电贡献的比例。离子迁移数ti 0.99的导体称为离子导体， ti 0.99的称为混合导体。 迁移率和电导率的一般表达式 导电的微观本质是载流子在电场作用下的定向迁移。 迁移率为载流子在单位电场中的迁移速度 电导率的一般表达式为 2、导电机理 1）金属及半导体的导电机理 经典电子理论 在金属晶体中，离子构成晶格点阵，并形成一个均匀的电场，价电子是完全自由的，弥散分布于整个点阵之中，其运动遵循经典力学气体分子的运动规律。 无外加电场时，自由电子沿各方向运动的几率相同，不产生电流；有外加电场时，自由电子沿电场方向作宏观定向移动，形成电流。 电阻来源于自由电子与晶格点阵的碰撞。 2、导电机理 1）金属及半导体的导电机理 量子自由电子理论 金属中正离子形成的电场是均匀的，价电子与离子间无相互作用，可在整个金属中自由运动。 自由电子的状态服从费米－狄拉克的量子统计规律。 价电子有波粒二象性，能量呈量子化分布规律 只有处于较高能态的自由电子参与导电。 金属内部的缺陷和杂质是形成电阻的原因。 2、导电机理 1）金属及半导体的导电机理 能带理论 价电子是公有化和能量是量子化的。 离子所产生的势场呈周期变化。价电子在金属中的运动不是完全自由的。能带分裂为禁带和允带。具有空能级的允带中电子可自由移动。 2、导电机理 1）金属及半导体的导电机理 三种导电理论的主要特征的变化 2、导电机理 1）金属及半导体的导电机理 能带理论 本征电导：电子和空穴的浓度相等。本征半导体的载流子由热激活产生。 杂质对半导体的导电性能 影响极大。掺杂半导体可 分为n型和p型两种。 2、导电机理 1）金属及半导体的导电机理 电子电导率 本征半导体 掺杂半导体 2、导电机理 1）金属及半导体的导电机理 电子电导率的影响因素 温度的影响 温度变化不大时，电导率与温度的关系符合指数规律。温度的影响包括对迁移率的影响（迁移率随温度变化较小）和载流子浓度的影响（指数关系）。 杂质及缺陷的影响 杂质缺陷：杂质导致离子电价的变化，出现新的局部能级（价控半导体）。 2、导电机理 1）金属及半导体的导电机理 电子电导率的影响因素 杂质及缺陷的影响 组分缺陷：非化学计量比的化合物中，由于化学成分的偏离，形成离子空位或间隙离子等晶格缺陷。 阳离子空位 (M1-xO)：FeO, CoO, NiO等在氧化气氛下，由于氧过剩而形成。 阴离子空位：TiO2-x，在还原气氛烧结时，由于缺氧而产生氧空位。 间隙离子：Zn1+xO, 金属离子过剩形成。 2、导电机理 2) 无机非金属的导电机理 电子电导：载流子是电子或空穴；离子电导：载流子是离子或离子空位。 离子本征电导：导电离子由热振动产生，能量较大的离子离开平衡位置。 弗伦克尔 (Frenker) 缺陷：离子进入晶格间隙，空位和间隙离子成对产生。FF ? Fi’ + VF˙ 肖脱基 (Schottky) 缺陷：离子跃迁到晶体表面，正负离子空位成对产生。 0 ? VNa’ + VCl˙ 杂质电导：载流子为杂质离子，浓度取决于杂质的种类和数量。 2、导电机理 2) 无机非金属的导电机理 离子电导的微观机理为离子的扩散（迁移）。 无电场作用下间隙离子沿某一方向跃迁的次数为 受电场作用下，正离子顺电场方向和逆电场方向的跃迁次数为 载流子沿电场方向的迁移速度及迁移率为 2、导电机理 2) 无机非金属的导电机理 离子电导率的一般表达式 若只有一种载流子 若有多种载流子 2、导电机理 2) 无机非金属的导电机理 离子扩散机制：空位扩散，间隙扩散和亚间隙扩散 空位扩散：晶格变形程度小，活化能小。 间隙扩散：间隙位置的质点从一间隙移入另一间隙。 亚间隙扩散：间隙离子取代附近的晶格离子，被取代的晶格离子进入间隙位置。AgBr: Ag+ 的扩散。 离子扩散系数越大，离子电导率越高。