ch4.半导体二极管和三极管.pptVIP

4.1 半导体的导电特性 4.1.1 本征半导体 4.1.2 N型半导体和 P 型半导体 4.1.2 N型半导体和 P 型半导体 4.1.3 PN结及其单向导电性 1. PN结的形成 2 PN结的单向导电性 1). PN 结加正向电压（正向偏置） 2). PN 结加反向电压（反向偏置） 2). PN 结加反向电压（反向偏置） 4.2 半导体二极管 4.2.2 伏安特性 4.2.3 主要参数 4.3 稳压二极管 3. 主要参数 4.4 半导体三极管 4.4.1 基本结构 4.4.2 电流分配和放大原理 4.4.3 特性曲线 1. 输入特性曲线 2. 输出特性曲线 4.4.4 主要参数 ?0 0.1 0.5 ?0.1 0.6 ~ 0.7 ?0.2 ~ ?0.3 0.3 ?0.1 0.7 ?0.3 硅管(NPN) 锗管(PNP) 可靠截止 开始截止 UBE/V UBE/V UCE/V UBE/V 截 止 放大 饱和 工 作 状 态 管 型 晶体管结电压的典型值 当晶体管工作在动态(有输入信号)时，基极电流的变化量为 ?IB ，它引起集电极电流的变化量为 ?IC 。 ?IC 与 ?IB的比值称为动态电流(交流)放大系数 在输出特性曲线近于平行等距并且 ICEO 较小的情况下,可近似认为 ，但二者含义不同。 1. 电流放大系数 ，? 当晶体管接成共发射极电路时，在静态(无输入信号)时集电极电流与基极电流的比值称为静态电流(直流)放大系数 2. 集—基极反向截止电流 ICBO ICBO 是当发射极开路时流经集电结的反向电流，其值很小。 3. 集—射极反向截止电流 ICEO ICEO 是当基极开路(IB = 0)时的集电极电流，也称为穿透电流，其值越小越好。 ICBO ?A + – EC ?A ICEO IB=0 + – * 下一页 上一页 章目录 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构 共价健 共价键中的两个电子，称为价电子。 Si Si Si Si 价电子 Si Si Si Si 价电子 价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。 本征半导体的导电机理 这一现象称为本征激发。 空穴 温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。 自由电子 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。 Si Si Si Si 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流 (1)自由电子作定向运动 ?电子电流 (2)价电子递补空穴 ?空穴电流 自由电子和空穴都称为载流子。 注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。 掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。 掺入五价元素 Si Si Si Si p+ 多余电子 磷原子 在常温下即可变为自由电子 失去一个电子变为正离子 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体。 在N 型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 动画 掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。 掺入三价元素 Si Si Si Si 在 P 型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。 B– 硼原子 接受一个电子变为负离子 空穴 动画 无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 2. 在杂质半导体中少子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 3. 当温度升高时