SiC+MESFET大信号建模初步研讨.pdfVIP

2005。全国微波毫米波会议论文集 SiCMESFET大信号建模初步研究 徐跃杭 徐锐敏 延波 电子科技大学电子工程学院微波工程系成都610054 E-mai 1：yuehangcarpenter@126．tom MESFET所具有 摘要本文介绍了SiCMESFET大信号建模的现状，综述了SiC和GaAs MESFET人信 的不同电特性以及在建立大信号经验模型中的影响．最厉本文指出了SiC 号建模还有待解决的问题． 关键词SiC，MESEFI，大信号建模，经验模型 一引言 近年来，继si和GaAs之后，宽带隙半导体材料SiC以其高击穿电压，高热导率和 高饱和电子迁移率，存高温、高功率微波器件的应用中倍受青睐。目前在4H—SiC半绝 and