SiC+MESFET非线性等效电路模型研讨.pdfVIP

2005’全国微波毫米波会议论文集 SiC MESFET非线性等效电路模型研究 张宏亮 徐锐敏 (电子科技大学，四川成都610054) 摘要；精确的器件大信号模型是成功设计微波非线性电路的基础，本文采用基于测量 数据的模型，针对SiCMESFET提出了一种改进型的大信号非线性等效电路模型及分析优 化思路。 MESFET 关键词：Sic 非线性等效电路模型 参数提取和优化 1引言 碳化硅(SiC)具有独特的物理性质和电子学特性，其带隙宽、击穿电压高，工作 MESFET 温度高，热导性能好，菲常适合于制作高温、高频、大功率电予器件…。对SiC 微波功率器件的研究近年来已有很多报导，其中器件的剁频大信号非线性模型的建立足 彤f究人功率器件性能的关键。 从器件CAD的角度分析，目前对人信号非线性模型的研究主要有两个方向，一是