SiC+PiN二极管理论模型研讨.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 SiC PiN二极管理论模型研究 韩茹，杨银堂 (西安电子科技大学微电子所，西安710071) 摘要： 对SiC半导体材料特性作了比较和讨论，说明了SiC在微波大功率应用 PiN二极管经典理论的修正和补充提出了能够真正反映SiC 方面的优势。通过对Si PiN二极管特性的器件模型，如根据SiC中存在的多重杂质能级而引入多级复合模 型来描述其正向特性；反向特性的分析中考虑了反向电流与器件周长／面积比的关 系等等。 关t词： 碳化硅PiN二极管；多级复合模型；RAF技术；终端技术 modeland SiCPiNdiodes Thetheoretic Of keyprocesses Han