低频电子技术测试题.doc

正离子 D. 电子和空穴2.1.3.N型半导体中的多子是_.A. 电子 B. 空穴 C...A. 少子 B. 电子 C. 多子 D. 两种载流子4.1.6P沟道结型场效应管的夹断...$低频电子技术测试题 2.1.1·在绝对零度（0K）时，本征半导体中_________ 载流子。 A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数 半导体中的载流子为_________。A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子和空穴 N型半导体中的多子是_________。 A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子 P型半导体中的多子是_________。 A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子·当PN结外加正向电压时，扩散电流_________漂移电流。 A. 大于 B. 小于 C. 等与 ·当PN结外加反向电压时，扩散电流_________漂移电流。 A. 大于 B. 小于 C. 等于在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则vo和vi的相位_________。 A. 同相 B. 反相 C. 相差90度 D. 不确定 ·既能放大电压，也能放大电流的是_________组态放大电路。 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定·在单共集放大电路中，若输入电压为正弦波形，则vo和vi的相位_________。 A. 同相 B. 反相 C. 相差90度 D. 不确定 ·可以放大电压，但不能放大电流的是_________组态放大电路。 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定 ·可以放大电流，但不能放大电压的是_________ 组态放大电路。 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定 ·在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是_________组态。 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定 ·场效应管是利用外加电压产生的_________来控制漏极电流的大小的。 A. 电流 B. 电场 C. 电压 场效应管是_________器件。 A. 电压控制电压 B. 电流控制电压 C. 电压控制电流 D. 电流控制电流 ·三极管是_________器件。 A. 电压控制电压 B. 电流控制电压 C. 电压控制电流 D. 电流控制电流 结型场效应管利用删源极间所加的_________来改变导电沟道的电阻。 A. 反偏电压 B. 反向电流 C. 正偏电压 D. 正向电流 ·场效应管漏极电流由_________的漂移运动形成。 A. 少子 B. 电子 C. 多子 D. 两种载流子 沟道结型场效应管的夹断电压Vp为_________。 A. 正值 B. 负值 C.vGS ? D. 零 ·N沟道结型场效应管的夹断电压VP为_________。 A. 正值 B. 负值 C. 零 ·P沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP为_________。 A. 正值 B. 负值 C. 零 ·所谓电路的最大不失真输出功率是指输入正弦波信号幅值足够大，使输出信号基本不失真且幅值最大时，_________。 A.? 晶体管上得到的最大功率 B. 电源提供的最大功率 C. 负载上获得的最大直流功率 D．负载上获得的最大交流功率 ·所谓效率是指_________。 A. 输出功率与输入功率之比 B. 输出功率与晶体管上消耗的功率之比 C. 输出功率与电源提供的功率之比 D. 最大不失真输出功率与电源提供的功率之比 ·甲类功放效率低是因为_________。 A. 只有一个功放管 B. 静态电流过大 C. 管压降过大 功放电路的效率主要与_________有关。 A. 电源供给的直流功率 B. 电路输出信号最大功率 C. 电路的工作状态 在甲类放大电路中，放大管的导通角等于_________。 A. 180 B. 360 C. 270 5.1.6在乙类放大电路中，放大管的导通角等于_________。 A. 180 B. 360 C. 270 5.1.7功率放大电路的主要作用是向负载提供足够大的功率信号。 A. 正确 B. 错误 功率放大电路所要研究的问题就是一个输出功率的大小问题。 A. 正确 B. 错误 顾名思义，功率放大电路有功率放大作用，电压放大电路只要电压放大作用而没有功率放大作用。 A. 正确 B. 错误 ·乙类双电源互补对称功放电路的效率可达_________。 A. 25% B. 78.5% C.? 50% D. 90% 5.2.2·理想情况下，乙类双电源互补对称功放电路的最大输出功率为_________。 A.? B. C. D． ·有一乙类功放电路，其电源电压VCC=16V，RL=8Ω，在理想情况下可得到最大输出功率