半绝缘多晶硅SIPOS工艺与应用.docx

第7卷第7期电子与封装半绝缘多晶硅SIPOS工艺与应用俞诚，李建立，吴丹，吉鹏程，刘文龙，黄强（江阴新顺微电子有限公司，江苏 江阴 21 44 31）摘要：反向击穿电压较高的半导体器件，一般采用台面玻璃钝化工艺，但这种工艺有不少弊端。因此人们一直努力使高耐压半导体器件工艺平面化，而在这当中表面钝化工艺的选择与应用是个关键。半绝缘多晶硅(SIPOS)的开发几乎与高压平面器件工艺的研究同步。但是由于SIPOS工艺具有一定的难度，普遍应用尚有待时日。文章简要介绍了我们在SIPOS工艺试验与应用方面所做的一些工作。关键词：高反压；平面工艺；钝化；半绝缘；含氧量；多晶硅中图分类号：TN406文献标识码：A文章编号：1681-1070（2007）07-0028-04ProcessApplicationofSIPOSYUCheng,LIJian-li,WUDan,JIPeng-cheng,LIUWen-long,HUANGQiang（Jiangyin Xinshun Microelectronic Co., Ltd., Jiangyin 214431,China）Abstract:The reverse-breakdown voltage of semiconductor devices is more commonly used for measaglasspassivationprocess.However,thisprocesshasmanydrawbacks.Peoplehavebeenworkingtousecomplanationprocessinhighvoltagesemiconductordevice.Inthiscasethechoiceandapplicationofsurfacepassivationprocess is the key.SIPOS development and the the research of high- voltage planar device process isalmostsimultaneously.But SIPOS process has a certain difficulty in the development, universal application needsalongertime.ThispaperintroducestheapplicationandtestingprocessintheSIPOSwhichwehavedone.Keywords:highreversebreakdownvoltage;planar-process;passivation;half-insulation;oxygencontent;poly-silicon1引言目前半导体器件生产中常用的平面钝化工艺，不外乎PSG（与LTO或UDO组合）、Si N（SiN）、果明显改善，击穿电压得到提高。但由于等离子非晶硅含有大量氢，而氢很容易从膜中逸出，稳定性又成了问题。而同样是半绝缘膜的掺氧或掺氮多晶硅SIPOS用作耐压较高的器件钝化，不仅具备上述诸多绝缘、半绝缘性钝化膜的优点，还克服了它们的缺陷。近年来，我3 4X Y23PIA（聚酰亚胺）、A LO等。对于一般器件来说，们在SIPOS工艺试验和应用方面做了一些工作，取得这些钝化工艺各有千秋，都有不错的效果。它们有一个共同特性，基本上都属于绝缘膜，因此也就有着共同的弱点，用它们做钝化层难以避免外加电场的影响和可动电荷的干扰，无法使半导体器件稳定工作，尤其对于反向击穿电压较高的半导体器件，问题更为突出。我们过去曾用PE-α:Si（非晶硅）取代一般钝化膜为击穿电压较高的器件作钝化。非晶硅是半绝缘膜，钝化效了一定进展。2机理绝缘性钝化膜不能有效防止器件表面电荷积累或离子沾污，这些电荷能在靠近硅衬底表面处感生出相反极性的电荷，从而改变表面电导率；另外载流子注入到收稿日期：2007-03-02第7卷第7期俞诚，李建立，吴丹，吉鹏程，刘文龙，黄强：半绝缘多晶硅SIPOS工艺与应用绝缘膜中能长期停留形成存储，也会使器件表面电导率发生改变，这些都会导致PN结反向击穿电压降低。SIPOS除了半绝缘性，还具有其他特点：电中性、与硅接触在界面不存在高能势垒、膜内有高密度陷阱。SIPOS钝化层表面被离子沾污后，会在表面附近感应出相反极性的电荷，这些电荷漂移到钝化层内将和外表面电荷中和，或被钝化层内密度高达1017cm-3~1018cm-3的陷阱捕获，从而形成一个空间电荷区，这层空间电荷区对外加电场具有屏蔽作用。热载流子不能在SIPOS 中长时间停留，因而注入到钝化层中的载流子不会因P-N结雪崩击穿而发生存贮效应。SIPOS不仅可以防止外界有害杂质