半导体材料讲义--第七章 半导体器件.ppt

基区很薄，且掺杂浓度低； 发射区掺杂浓度比基区和集电区高得多； (3) 集电结的面积比发射结大。 三极管的工作状态：截止、放大和饱和 放大状态的条件：发射结正偏和集电结反偏。 放大区的特征：IC由IB决定，具有恒流的特性。 截止状态条件：基极开路或发射结反偏。 当三极管截止时，c、e之间的电压基本上等于UCC，而IC≈0，故三极管呈现出高电阻，c、e之间相当于断路。 饱和状态：发射结、集电结都正偏。 当三极管饱和时，无放大作用。 基极电流的变化不会再引起集电极电流的改变。 重要的HBT器件 SiGe/Si； GaAlAs/GaAs； InGaAs/InP 7.3.3 场效应晶体管（FET） 一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管； 而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。 FET应用范围很广,但不能说现在普及的双极型晶体管都可以用FET替代。 然而，由于FET的特性与双极型晶体管的特性完全不同，能构成技术性能非常好的电路。 场效应晶体管的类型 1. 结型FET（JFET） 2. 肖特基势垒栅（MESFET） 3. 绝缘栅FET（IGFET） JFET基本结构 JFET示意图 通过Gate来调节Channel电流的大小 JFET工作原理 （a）VD ＜ VP ， （b） VD = VP ， （c）理想的漏极特性 7.3.4 MOSFET MOSFET是Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor的英文缩写，平面型器件结构， 按照导电沟道的不同可以分为NMOS和PMOS器件。 MOS器件基于表面感应的原理，是利用垂直的栅压VGS实现对水平IDS的控制。 它是多子（多数载流子）器件。 MOSFET基本结构 7.3.5 HEMT HEMT是high electron mobility transistor的缩写。 它是在调制掺杂GaAlAs/GaAs超晶格中观察到具有高迁移率的二维电子气的基础上，1980年日本富士通公司研制成功的一种新型场效应晶体管； 这种器件一经问世，很快用于微波低噪声放大和高速集成电路等方面 HEMT基本结构 雪崩击穿 当反向电压较高时，结内电场很强，使得在结内作漂移运动的少数载流子获得很大的动能。当它与结内原子发生直接碰撞时，将原子电离，产生新的“电子一空穴对”。这些新的“电子一空穴对”，又被强电场加速再去碰撞其他原子，产生更多的“电子一空穴对”。如此链锁反应，使结内载流子数目剧增，并在反向电压作用下作漂移运动，形成很大的反向电流。这种击穿称为雪崩击穿。 显然雪崩击穿的物理本质是碰撞电离。 齐纳击穿 齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。 由于掺杂浓度很高，PN结很窄，这样即使施加较小的反向电压(5v以下)，结层中的电场却很强。在强电场作用下，会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来，形成“电子一空穴对”，从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下，形成很大的反向电流，出现了击穿。 显然，齐纳击穿的物理本质是场致电离。 一般地： 击穿电压UBR 6V 的属于齐纳击穿 击穿电压UBR 6V 的属于雪崩击穿 热电击穿 当PN结施加反向电压时，流过PN结的反向电流要引起热损耗，将产生大量的热能，引起结温上升；随着结温的上升，反向饱和电流密度也迅速上升，产生的热能也迅速上升，进而又导致结温上升。 如此反复循环，最后使Js无限增大而发生击穿 这种由于热不稳定性引起的击穿，称为热电击穿。 7.2 金属-半导体接触 功函数的概念 接触电势差 金属的功函数 金属功函数的定义: 真空中静止电子的能量 E0 与 金属的 EF 能量之差，即 EF Wm 越大, 金属对电子的束缚越强 半导体的功函数 半导体功函数的定义: 真空中静止电子的能量 E0 与 半导体的 EF 能量之差，即 E0 EC EF EV ? Ws 电子的亲合能 金属-半导体接触前 Ev ? Ws 金属 半导体 金属-半导体接触后 qVD 讨论： 金属和n型半导体接触时有两种情况 a： b： WmWs WmWs 金属的功函数小于半导体的功函数 金属的功函数大于半导体的功函数 1）WmWs 金属和半导体接触时，电子将从金属流向半导体； 在半导体表面形成负的空间电荷区； 电场方向由表面指向体内； 半导体表面电子的能量低于体内的，能带向下弯曲 在空间电荷区中，电子浓度要比体内大得多， 因此它是一个高电导的区域，称为反阻挡层。 反阻挡层 （WmWs