半导体材料讲义--第十三章 化学气相沉积.ppt

第四章 化学气相沉积 李斌斌 4.1 化学气相沉积 4.2 硅气相外延生长 4.1 化学气相沉积 化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。 从理论上来说，它是很简单的：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。 沉积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。 化学气相沉积的优点 准确控制薄膜的组分和掺杂水平 可在复杂的衬底上沉积薄膜 不需要昂贵的真空设备 高温沉积可改善结晶完整性 可在大尺寸基片上沉积薄膜 闭管外延 闭管外延是将源材料，衬底等一起放在一密封容器内，容器抽空或者充气，将源和衬底分别放在两温区的不同温区处 闭管外延的特点 设备简单 生长在接近化学平衡条件下进行 主要用于基础研究 生长速度慢 装片少 开管外延 开管外延是用运载气体将反应物蒸气由源区输运到沉积区进行化学反应和外延生长，副产物则被运载气体携带出系统 反应体系需具备以下条件 输入反应系统中的所有反应物是气体或是易挥发的物质，除要沉积的主要产物外，其它的副产物应为气体； 反应焓的变化必须足够大，以确保沉积反应的进行 对于反应生成化合物AB，则包含A或者B的反应源的输入分压比尽量与化合物的化学计量比接近，以减少产物的化学比偏离 4.1.1 基本的化学反应过程 高温分解 还原反应 歧化反应 合成反应 高温分解 某些元素的氢化物和金属有机化合物在高温下是不稳定的，它们将分解成元素而沉积，这种反应是不可逆的。 利用热解反应进行外延生长，将称为今后应用最为广泛的生长工艺 氢化物分解 金属有机化合物分解 还原反应 还原反应是将含有欲沉积物质的化合物被还原剂还原，并沉积在衬底上。 还原反应的特点是具有正的反应热，是在高温下进行的反应 通常氢气作还原剂，同时也用它作载气 这里反应是可逆反应 歧化反应 具有歧化作用的元素能够生成几种氧化态的气态化合物，在反应过程中，由于反应物在较低温度下不稳定，一部分被氧化成高价的比较稳定的化合物，另一部分被还原成该元素的原子沉积在衬底上进行外延生长。 利用歧化反应，一般都在多温区炉内进行，至少需要两个温区。 合成反应 合成反应中输运的组分的氧化态不变，通常都是最高的氧化态。 合成反应易形成多晶，外延成核很困难，往往需要在很高温度下生长。 综合比较 4.1.2 外延生长热力学 平衡常数 Kp1；反应向右进行，有利于沉积 Kp1；反应向左进行，不利于沉积 具体反应更为复杂，以Si为例 Si-H-Cl体系，有8种物质（H2，HCl，SiH4，SiH3Cl，SiH2Cl2，SiHCl3，SiCl4，SiCl2），需要8个独立的线性和非线性方程 体系内Cl原子和H原子质量守恒 体系内总压力守恒 4.1.3 外延生长动力学 气相均质反应机制：硅的外延反应是在离衬底表面几微米处的空间内发生，反应后生成的原子或原子团再转移到衬底表面上进行外延生长。 复相反应动力学机制：认为在衬底上面存在着边界层，外延生长过程是按照以下步骤进行： 复相反应动力学 （1）反应物气体混合物输运到外延生长区； （2）反应物分子通过扩散，穿过边界层到达衬底表面； （3）反应物分子吸附在高温衬底表面上； （4）吸附分子间或者吸附物与气体分子间发生化学反应生成晶体的原子和气体副产物； （5）生成的生长晶体的原子沿衬底表面扩散到达衬底表面上的晶格的某些折角或者台阶处结合进入晶体点阵中； （6）副产物从表面解吸附扩散穿过边界层进入主气流中被排出系统 闭管动力学 （1）在源区，源物质与输运剂分子反应 （2）反应产物ZnI2，Se2分子通过扩散和热对流向沉积区运动 （3）在沉积区，发生形成ZnSe反应，并沉积 （4）副产物I2向源区运动，重复上述输运过程 以上四个步骤中，速率最慢的一步决定着整个ZnSe晶体生长的速率。 扩散和热对流是决定因素 4.1.4 沉积参数 反应温度 温度对动力学控制过程有明显的影响； 外延生长过程涉及的化学吸附，表面反应，解吸附等过程的速率都随着温度的升高而成指数变化，服从阿累乌斯方程： 气流速率 总气流很缓慢输运到沉积区时，反应剂在沉积区的时间较长，使得气体与衬底能到达平衡态，这时生长速率由输入沉积区的反应速率控制； 总气流增加，沉积速率也线性增加。 总气流增加到一定数值时，反应剂在沉积区的停留时间较短，只有一部分达到平衡态，此时，反应受质量输运控制 衬底结晶学方向 沉积速率受衬底表面结晶学取向的强烈影响是沉积过程受动力学控制的重要特征。 衬底晶向不同时，原子排列和密度都不相同，由于极性的影响其化学活性也不相同；