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考虑硅通孔的三维集成电路热传输解析模型
物 理 学 报 ActaPhys.Sin. Vo1.60,No.I1(2011J 118001
考虑硅通孔的三维集成 电路热传输解析模型木
朱樟明 左 平 杨银堂
(西安电子科技大学微 电子学 院,西安 710071)
(2010年7月3日收到 ;2011年5月 14日收到修改稿)
基于不考虑硅通孔的N层叠芯片的一维热传输解析模型,提出了硅通孔的等效热模型,获得了考虑硅通孔的
三维集成电路热传输解析模型,并采用 Matlab软件验证分析 了硅通孔对三维集成 电路热管理的影响.分析结果表
明,硅通孔能有效改善三维集成 电路的散热,硅通孔的间距增大将使三维集成 电路的温升变大.
关键词:三维集成电路 ,热管理 ,硅通孔 ,等效热模型
PACS:80.30.一r.84.40.Bw
3D集成电路热管理的影响;文献 [7]提出了将 3D
1.引 言 集成电路 中的功耗分布转换为温度分布的数值模
拟方法;文献 [8,9]则通过分析硅通孑L或互连线 的
三维 (3D)集成电路作为立体集成芯片系统 ,通 布局来优化3D集成 电路 中的散热.然而以上研究
过将芯片层叠 ,采用短 的垂直互连线将各层二维芯 所给出的多层叠层芯片热传输 的解析模型并没有
片连接起来 ,从而实现系统集成 ,避免 了系统芯片 考虑到 TSV影响.
(SOC)中一些长互连线 ,因此 3D集成 电路能有效 本文在考虑 TSV对 3D集成电路热管理影响的
解决系统芯片(SOC)的互连功耗和互连延迟等性能 基础上,提出一种 N层芯片热传输的一维解析模
问题 ,也能缓解 SOC研发及制造成本费用过高的问 型.论文首先提出忽略 TSV时N层叠芯片的一维热
题,将成为更高系统集成芯片的集成方式 .然 传输解析模型,进一步在考虑 TSV基础上提出等效
而 ,3D集成电路还存在许多方面的问题 ’,如设 热阻的概念 ,提出考虑硅通孔的3D集成 电路热传
计规则和设计软件没有普遍制定和开发 ;测试方法 输解析模 型,并利用 Matlab软件分析 比较 TSV对
和设备缺乏;不同二维芯片速度和尺寸之间的匹 3D集成电路热管理 的影响.
配 ;晶圆减薄问题 ;热管理问题 ;硅通孔 (TSV)制作
的高成本问题等等.在影响3D集成 电路发展的各 2.不考虑TSV的Ⅳ层芯片热传输的一
种问题 中,热管理无疑是最为重要的因素之一.这 维解析模型
是因为 ]:(1)微型封装 中的层叠芯片产生 的热流
非常高;(2)3D集成 电路增加 了单位表面积的功 由于多种热源 的存在 ,实际3D集成电路中的
率;(3)如果冷却不充分将会导致 3D层叠中的芯片 热传输分析是非常复杂的,图1为 Ⅳ层叠芯片示意
发生过热 ;(4)层叠芯片之间的空间太小 ,从而导致 图及其一维热传输模型 ¨….
建立冷却通道困难.基于 以上原 因,提 出一些低成 假设每个芯片层所产生 的热量是均匀分布 的,
本且有效的热管理设计规则和解决方法就非常有 并且热流只是从垂直于芯片的方向进行的,也忽略
必要 . 了每个芯片层热量的横 向扩散.此外 ,Ⅳ层芯片一般
文献[5]提出了集成 电路微互连结构的焦耳热 是通过适当的黏合技术连接在一起的.我们用 和
解析模型;文献 [6]使用有限元工具分析了TSV对
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