半导体光催化基础 第一章 半导体光催化物理基础 第二讲.ppt

第一章 半导体光催化物理基础 第二讲 1.5 半导体中载流子的统计分布与费米能 1.5.1 费米（Fermi）—狄拉克（Dirac）统计分布 式中EF称为费米能级或费米能量， k—玻尔兹曼常数，T—绝对温度。EF是一个非常重要的物理常数，它和温度、半导体材料的性质、导电类型、杂质的含量及能量零参考点的选定等因素有关。只要知道了EF的数值，在一定温度下，电子在各能级上的统计分布就完全确定。对于一个确定的半导体材料，EF和k都是常数，当温度一定时，对于任意能级E都可算出该能级被电子占据的几率f，下面分两种情况进一步讨论费米能级的物理意义。 T=0 当EEF时，（E- EF）0，则（E-EF）/kT→-∞，而e-∞→0，所以，f≈1。 在绝对零度时，EF以下的所有能级被电子占据的几率都等于1，即所有能级100%被电子占据。 当EEF时，（E- EF）0，则（E-EF）/kT→∞，而e∞→∞，所以，f≈0。 费米能级以上的所有能级被电子占有的几率都等于零，即全部是空的。 绝对零度时，虽然所有电子的热运动停止，但并非是所有的电子都占据零能级。根据能量最低原理和泡利不相容原理，电子只能从最低能态逐次向高能级填充，直到全部电子填充完为止。显然，填满电子的最高一条能级就是费米能级EF，其能量可达几个电子伏特，比平均热动能3/2kT≈0.03eV(T=300K时)大得多。 （2）T0 当（E-EF）kT时，e(E-EF)1，所以f很小。 当（E-EF）= 0 时，e(E-EF)=1，所以f=1/2。 当（E-EF）kT时，e(E-EF)1，所以f≈1。 即言当E极低于EF时（低几个kT以上）时，f≈1，与绝对零度情形相似。当E远高于EF时，也和绝对零度时一样，高于几个kT以上的能级都是空的，只有|E-EF|≈kT附近时，f从1很快减小到零。 当T0时，费米分布函数如图1.14中曲线（2）、（3）所示。 比较T0的曲线和T=0的折线可以看出： 在能量极高和极低部分，两条曲线基本上是一致的，只有在EF附近kT范围内，能级为电子占据的情况才有较为显著的变化。当温度升高时，EF下面能级（离EF约在kT距离范围内）上的电子由于热运动而跃入EF以上的空能级中，因而使EF以下能级被电子占据的几率小于1。而EF以上原来空着的能级也被少数来自下面的电子占据，因而占据几率也就大于零了。显然，因热运动的平均能量为kT数量级（室温时，大约为0.03eV），很低能级上的电子不可能借热运动跃迁到EF以上的能级中，只有EF以下kT范围内能级上的电子才有可能跳到EF以上的能级中去。温度越高，kT越大，跃迁到EF以上能级的电子数目也就越多，曲线也就更趋于拉直。 图1.14（2）、（3）两条曲线分别表示两个不同温度（T2T1）时费米分布函数曲线的形状变化。 1.5.2 导带电子与价带空穴统计分布的一般表达式 1.6 半导体费米能级和载流子浓度计算 导带电子浓度和价带空穴浓度的基本表达式 半导体共有化电子的量子态数目表达式 式中：V是半导体的体积，E-是导带底能量值，m-*是导带电子的有效质量，h是普朗克常数。 1.6.2 本征半导体的费米能级和载流子浓度 1.6.3 杂质半导体的费米能级和载流子浓度 掺杂半导体中的载流子来源于本征激发和杂质电离。 n型半导体中电子浓度大于空穴浓度，而p型半导体中，空穴浓度大于电子浓度。 杂质半导体中的载流子有多数载流子和少数载流子之分。前者一般称为多子（Majority），后者称为少子（Minority）。 2、掺杂半导体中多数载流子浓度 3、少数载流子浓度 4、掺杂半导体的费米能级 1.6.4 费米能级的物理意义 （1）在半导体的能带中，不一定确有费米能级EF这样的能量状态可允许电子去占据。它只不过是决定各个能级上电子或空穴统计分布的一个参量。各个能级都以EF为标准，由该能级与EF的相对位置决定电子在它上面的分布几率。 （2）费米能级EF非常直观地反映了半导体中电子填充能带“水平”的高低。从费米分布函数可以看出，凡是EF以上的能量状态基本上是空的，即没有或很少有电子占据这些能级；而EF以下的能量状态则基本上是被电子填满的。 （3）费米能级EF在能带中位置的高低，可以决定半导体中两种载流子的比例。 (i) 当EF正好在禁带中央时：n0=p0=ni，n0/p0=1（本征半导体） (ii)?????位于禁带上半部：n0/p01，EF越靠近导带底E-，n0/p0的比值就越大（n型半导体） (iii)????位于禁带下半部：n0/p01，EF越靠近价带顶E+，n0/p0的比值就越小（p型半导体） （4）费米能级的位置不仅是半导体导电类型的标志，而且也是掺杂浓度的标志。掺杂浓度越高，越靠近导带或价带。掺杂浓度越低