厦门大学 材料科学基础（二） 第四章-3 缺陷化学 缺陷反应及其书写原则.ppt

缺陷反应及其书写原则 位置关系 生成物应保持原晶体化合物中不同质点的位置数目的比例不变。( 例，MaXb中，M的位置数必须与X的位置数保持a: b的比例) 质量平衡： 反应方程式两边的质量应该相等。 电中性 有效电荷数必须相等，晶体必须保持电中性。 练习：写出往YF3中加入少量NaF的缺陷反应方程式 Na取代Y，但不进入间隙位置： Na取代Y，且进入间隙位置： 4.8 色心 F色心 4.9 热缺陷的平衡和浓度 晶体与溶液的对比 实际的晶体可以看作是一个溶液体系。晶格点阵就好比是体系中的溶剂，点缺陷是溶质。 可以把各类缺陷看作是像原子、离子、分子一样的化学组元，它们参加的反应也可以看作是类化学反应。因此，可用类化学反应方程式来描述。 本征半导体和杂质半导体电离生成电子与空穴的反应，都可以看作是弱电解质反应。 热缺陷浓度的计算方法 弗仑克尔缺陷的生成 弗仑克尔缺陷的生成 肖特基缺陷的生成 影响热缺陷浓度的因素 温度的影响：热缺陷随温度升高呈指数增加。 缺陷形成能的影响：温度一定时，缺陷浓度随形成能的升高而下降。 * * 一般形式： MgMg + OO?VMg″+ VO··+MgMg(表面) + OO(表面) 0 VMg″+VO·· 例子： VCl·+e’=(VCl·e’) F色心的1种，1个阴离子空位周围的6个正离子之一是1个置换式的1价杂质正离子，例如NaCl中的K+ (KMVX·e′) FA色心 相邻的2个阳离子空位缔合2个电子空穴 (2VM′2h·) V2色心 1个阳离子空位缔合1个电子空穴 (VM′h·) V1色心 以等边三角形出现在（111）晶面上的3个最邻近的F色心缔合 (3VX·3e′) R色心 相邻的2个F色心缔合 (2VX·2e′) M色心 1个α中心缔合2个电子 (VX·2e′) F′色心 1个α中心缔合1个电子 (VX·e′) F色心 阴离子空位 VX· α中心或F+ 形成方式 符号 色心名称 Na+ Ci- Na+ Ci- Na+ Cl- Cl- Na+ e- Na+ Na+ Ci- Na+ Cl- Cl- Na+ Ci- Na+ Na+ Ci- Na+ Cl- 缺陷看作化学组元 热缺陷浓度 化学反应 化学平衡的质量作用定律 统计热力学 AgAg +Vi Agi· +VAg′ [VAg′]=nv/N，nv表示空位数；［Ag i·］=ni/N，ni为填隙银离子数。N是Ag+亚晶格上正常的Ag+位置数或相等数目的间隙位置数。 近似处理： [Vi]≈1，[AgAg]≈1 对于弗仑克尔缺陷，［Ag·i］=［VAg′］ ΔGF为生成弗仑克尔缺陷1个填隙离子和1个空位所必需的吉布斯自由能之和 晶格位置 = 内部空位+表面（晶界）位置 平衡常数： 因为： 对于原子晶体 ： ΔGS是肖特基缺陷生成自由能，表示1个正离子和1个负离子移动到表面并留下1对空位所需的能量之和，nv为空位对数，N是晶体中离子对数。 不同温度和生成自由能条件下的缺陷浓度 * *