RF-MBE生长AlGaNGaN极化感应二维电子气材料.pdfVIP

第22卷第11期 半导体学报 V01．22．No．1l oF Nov．．200l 2001年11月 CHlNESEJOURNALSEMIC()NT)UCToRS 二维电子气材料 孙殿照 胡国新王晓亮 刘宏新刘成海 曾一平 李晋闽 林兰英 中国科学皖芈导体所材料中心．北京lo0083) 摘要：用射频等离子体辅助分子束外延技术(RFMBE)在c面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlGaN／ 2／ GaN撅化感应二维电子气材料．所外延的GaN膜室温背景电子浓度为2×10”cTn～，相应的电于迁移率为177cm (V·s)；GaN(o002)x射线衍射摇摆曲线半高宽(FwHM)为67；AlGaN／GaN极化感应二维电子气材料的室 温电子迁移率为730cm2／(V·s)．相应的电子气面密度为7．6×lO”cm。；用此二维电子气材料制作的异质结场 效应晶体管(HFET)室温跨导达50ms／mm(橱长1pm)，截止频率达13GHz(栅长O．5邮)． 关t词：RF—MBE；二维电子气；HFET；AlGaN／GaN EEACC：0520D；2560S’2520、(12810F；2530 中盥分类号：TN304．2+3文蘸标识码：A 文章编号：0253—4177(2001)¨一1425—04 右“]．在蓝宝石衬底上先用MOVPE法生长一层 1 引言 维电子气结构，可以得到更好的结果n]．目前Al GaN、A1N及其三元合金材料AlGaN具有禁 GaN／GaN HFET器件的室温跨导高达约400ms／ 带宽、电子漂移速度高、击穿电场强、热导率高、不易 mm(栅长为1．2pm)…；截止频率达50GHz，最高振 热分解、耐腐蚀、抗辐照等特点，因而是制作高温、大 荡频率达近97GHz(栅长为o．28pm)o]．功率密度和 功率、高频电子器件的理想材料“]．高温大功率高频 功率附加系数分别达9．1w／mm(10GHz)和47％“]． 电子器件可应用于汽车、坦克、航空航天、石油钻探、 我们以前曾报道过使用NH，一MBE技术在c面蓝宝 核反应监控、雷达等方面．GaN基高温电子器件不 石上外延高质量GaN以及AlGaN／GaN二维电子气 需或少需冷却装置，仅此一点就可以大大减少电子 材料”“3．本文报道使用等离子体辅助分子束外延技 装备的体积和重量．从九十年代中期开始出现GaN 术(RF—MBE)在c面蓝宝石上外延高质量的GaN 基MEsFET电子器件，随后出现HEMT(或称 以及AlGaN／GaN二维电子气材料的结果． HFET)和HBT电子器件．这些电子器件所用的外 延材料都是用分子束外延(MBE)或金属有机物气2实验 相外延(MOVPE)两种技术生长的．所用外延衬底 通常是c面蓝宝石和6HsiC．两种外延技术所获得 外延设备是用国产分子束外延设备改装的．氮 的AlGaN／GaN二维电子气材料以及相应的HFET RF 分子束来源于氮气的射频等离子体炉(sVTA 器件性能相差不多．目前AlGaN／GaN二维电子气