微波大功率管芯S参数测量研讨.pdfVIP

微波大功率管芯s参数测量研究 顾 聪 ‘ 高一凡2 (1.陕西西安.电子研究所，殃西西安，7100542.西安公路交通大学。映西西安，710064) 摘 要:本文论述一种获取大功率MESFET管芯S参数的方法，通过测f大管芯的小单 元、控制侧量误差和数据处理，得到了拟合成大管芯的5参数，通过比较得出了一种间 接获取大功率管芯5参数的方法。实验和计算表明，此方法简单可行。 关键词:大功率管芯，S参数，参数间接获取 1. 引言 对于12mm以上、具有4瓦左右徽波功率能力的功率GaAs微波管芯，要建立小信号模型，需 要S参数，它是一个非常重要而有用的参数，特别是获取多偏2的小信号S参数。一般可以通过矢 t网络分析仪直接Nti得到，但同时也会受到分析仪的直流偏2网络 I-V漂移的影响及夹具探针 电流容t的限制。因而，大功率ME SFET的小信号S参数难以直接获取[;, 对于大功率管芯，在测量饱和区的小信号S参数时遇到了困难:6胞功率管芯的电流4大于 2.0A，而网络分析仪Wlitron360B的夹具探针电流容f为。.8A。因此只能侧f管芯电流约113以下 部分的5参数，也即管芯的部分线性区和截止区的5参数。要测t管子在任意偏置点下的5参数， 必须寻求别的方法。 本文将重点讨论在用大信号模型法获取功率管芯的大信号S参致时，测t其小信号S参数所遇 到的问题.并提出解决问题的方法。 2.测量方法 由于大管芯M SFET各单胞的工艺条件是一致的，侧试样品中各单胞的键合金丝长度也是一 致的，因此每个单胞的等效电路应该是相同的。那么我们就可以由单胞的5参数推算出大管芯总的 S参数。当然，由于管芯的工作频率比较高，已经进入了徽波奄米波的范围，各单胞之间可能会存 在电磁场藕合效应，这是我们必须加以考虑的。这样，我们以后获取管芯的5参数时则只需侧量单 胞的S参数，而测2单胞的S参数是可以做到的。 为了验证此方法，把大管芯的6胞分解为中间双胞、边缘双胞和中间单胞、边缘单胞，大功率 MESFET正式管芯版图与改动后的测试用试验样品版图如图1所示。然后在 。.1-10GHz的范围内 测量单胞、双胞在三个区的各个偏置点下的S参数及6胞在截止区和部分线性区的S参数，再对单 胞、双胞的S参数进行比较、拟合，得出6胞大管芯对应偏置点下的S参数，从而确定单胞之间拱 合效应的影响。 3.数据的测试及处理 由于6胞MESFET的最大饱和漏电流坛为2.4A左右，单胞最大电流应为0.4A左右，双胞应 为0.8A左右。而网络分析仪 (Wdrton360B)的探针电流容量最大为。8A，因此可测量出单胞、双 胞所有电流工作点对应的S参数及6胞最大饱和电流的l13以下部分的S参数。 为了比较相同电流密度下，S参数与电流的相关性，特别选取Id,=100mA(单胞)、200mA(双 205 口 (a) 伪) 图16胞正式管芯的MESFET版图(a)与侧试用版图(b) J 胞)、600mA(6胞)，拐汤偏2Va,=10V的测f点。为了直观地比较拟合值和侧f值之间的差异， 图2给出 (IOV,-2.02V)偏Z点下两个单胞拟合成双胞后与双胞侧f致据的S参数的比较圈，其余 偏Z下的比较图由于篇幅有限，在此省略。通过比较发现，拟合曲线和对应的测f曲线趋势一致， 且十分接近。由此可见，在忽略边缘效应和单胞之间的藕合效应后，可由经过数学处理的单胞的S 参数推算出双胞对应偏Z下的5参数。 团 90 S12 .