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探究集成电路制造中制程能力的提升【摘要】集成电路作为电子信息产业的核心和基础，是支撑我国经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。随着移动智能终端、物联网、云计算以及大数据技术爆发式的增长，集成电路产业一直保持着高速增长势头。集成电路制造中的制程能力直接影响到后续的封装和测试环节，进一步影响到我国集成电路整体产业的发展。本文就如何提高集成电路制程能力进行系统论述，以期对集成电路制造企业提供借鉴。【关键词】集成电路；制程能力；工艺；借鉴随着芯片集成度的不断提高，半导体工艺制程中影响芯片质量及性能的因素也越来越多，这些影响因素之间相互关联，并且呈现出高速动态变化的特征。如何消除其中的不稳定因素，是提升制程能力的关键。本文从三个方面简要论述如何提升集成电路制造中制程能力。一、充分利用国际制造新技术集成电路技术按工艺方法可以分为单片集成电路技术、薄膜集成电路技术和厚膜集成电路技术。三种技术工艺方式各有特点，在不同的应用场景下可以互相补充。1.单片集成电路单片集成电路以硅平面工艺为基础，在硅片表面使相互隔离的晶体管、二极管、电阻、电容等元件互相连接形成完整电路。如今，平面单片集成技术已经相当成熟，并发展出了很多实用技术，例如电子束曝光制版、反应离子铣、等离子刻蚀技术等；2.薄膜集成电路薄膜集成电路以薄膜技术为基础，用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、合金或绝缘介质薄膜，通过真空蒸发溅射工艺和电镀等工艺重叠构成。实际应用的薄膜集成电路大多采用混合工艺，即用薄膜技术在玻璃、镀釉、微晶玻璃或抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的互连线，再将集成电路、晶体管、二极管等有源器件的芯片和不便用薄膜工艺制作的功率电阻、大电容值的电容器、电感等元件用超声焊接、热压焊接、凸点倒装焊接或梁式引线等方式组装出完整电路。3.厚膜集成电路厚膜集成电路以丝网印刷技术为基础，用技术将导体涂料、电阻和介质淀积在氧化铍陶瓷、氧化铝或碳化硅衬底上。用厚膜工艺制备多层布线的工艺相对简单、相容性好，可以极大地提高二次集成的组装密度。此外，等离子喷涂、火焰喷涂、印贴工艺等都是新的厚膜工艺技术。与薄膜集成电路相仿，厚膜集成电路由于厚膜晶体管尚不能实用，实际上也是采用混合工艺[1]。选择何种工艺技术，不可一概而论，要根据芯片类型以及生产实际情况而定。通用电路和标准电路的数量大，可采用单片集成电路。需要量少或是非标准电路，一般选用混合工艺方式，也就是采用标准化的单片集成电路，加上有源和无源元件的混合集成电路。厚膜、薄膜集成电路在实际应用中往往互相交叉。厚膜工艺所用工艺设备简单，电路设计灵活，生产周期短，所以在高压、大功率和无源元件公差要求不太苛刻的电路中使用较为广泛。在半导体芯片进入20nm后，业界分化出了两种主要技术路线：FinFET（鳍式场效晶体管）技术和FD SOI（全耗尽型绝缘层上硅）技术。与FinFET技术相比，在10纳米节点以上制造工艺中，FD-SOI技术更具优势。首先体现在价格成本方面。采用28纳米技术制作一颗晶片，在相同的选件和金属层条件下，FD-SOI只需要38个掩膜，极大地简化了制造工序。不仅如此，在改善性能以及功耗方面，FD-SOI技术也同样表现出众。尤其在可穿戴设备等移动应用中，FD-SOI工艺开发出的集成电路VDD电压可以低到0.6V，功耗可以做到4mW[2]。采用超薄体埋氧层，FD-SOI可以动态调整晶体管性能，实现晶体管工作过程中低功耗和高速度的实时选择。这也是制程制约下，FD-SOI技术作为可能的解决方案被一部分机构作为未来的技术路线提上日程的重要原因。一个具有先导性和探索性的新技术对整个产业产生的引领作用是毋庸置疑的。这就启示本土芯片制造企业，可以在现有生产能力的基础上，引进并充分利用国际先进工艺技术，建设多元化的开放式IP库及工艺平台，实现IC设计和芯片制造联动升级的创新发展模式。二、大胆探索制程控制新方法集成电路从被发明到现在已经将近60年。从简单集成发展到超大规模集成，制造工艺越来越复杂，过程参数也越来越多样化。如何保持过程可控并且把关键参数稳定在合理范围内，是众多集成电路制造企业着力思考的问题。现代控制理论、统计技术与集成电路生产工艺相结合，发挥出了传统控制方法所不可比拟的优势。对于现代大规模集成芯片来说，其中最复杂的结构是互连线。互连线的电阻、电感、电容值会随着制造过程其他参数（如温度、化学特性等）变化而变化，并且对芯片的性能产生重要的影响[3]。针对此问题，有研究机构提出了一种统计分析互连线电感建模和提取的新算法，使用正交多项式来表示电感值的分布，并且可以准确统计出电感分布情况。新的算法比传统的蒙特卡罗仿真算法的效率平均提高300多倍。一套科学的控制方法不仅要建立一个高效的过程控制数学模型，而且可以针对制程