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磁场退火温度对Ni80Fe20薄膜磁畴结构的影响研究.PDF
实 验 技 术 与 管 理 第 卷 第 期 年 月
ＩＳＳＮ１００２－４９５６ ３０ ３ ２０１３ ３
／
ＣＮ１１－２０３４ Ｔ Ｅｘ ｅｒｉｍｅｎｔａｌＴｅｃｈｎｏｌｏ ａｎｄＭａｎａ ｅｍｅｎｔ
ｐ ｇｙ ｇ Ｖｏｌ．３０ Ｎｏ．３ Ｍａｒ．２０１３
磁场退火温度对Ｎｉ Ｆｅ 薄膜磁畴
８０ ２０
结构的影响研究
， ， ， ，
陈 森 张师平 吴 平 徐 建 向 勇
（ ， ）
北京科技 大学 数 理学 院 北京 １０００８３
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摘 要 利用电子束真空蒸发方法制备了厚度１００ｎｍ的Ｎｉ Ｆｅ 薄膜 研究了磁场退火温度对薄膜磁畴结构
８０ ２０
。 ， 。
的影响 利用振动样品磁强计测量了磁滞回线 利用磁力显微镜观察了薄膜的表面形貌和磁畴结构 结果
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表明 磁畴结构为明显的条状畴 磁畴宽度最大值约为 ８６０ｎｍ 随着磁场退火温度的升高 磁畴取向趋于沿垂
， ， 。
直膜面方向 退火温度为 时 沿着主畴的畴壁形成了细小的横向细畴结构
６００ ℃
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关键词 Ｎｉ Ｆｅ 薄膜 磁畴 磁场退火
８０ ２０
中图分类号： 文献标志码： 文章编号： （ ）
Ｏ４８４．４ Ａ １００２４９５６２０１３０３ ００５６ ０４
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