铅离子辐照注碳4HSiC的红外光谱特性研究.pdf

! 第() 卷! 第( 期 原 子 核 物 理 评 论 ?CRS () ，TCQ (! ! (##’ 年’ 月 TN1RAJM GUVW-1W :AX-AY ZNDQ ，(##’! ! ! 文章编号：##$ % ’($ （(##’ ）#( % #(( % #) 铅离子辐照注碳!#$% 的红外光谱特性研究! 周丽宏，张崇宏，宋! 银，杨义涛 （中国科学院近代物理研究所，甘肃 兰州! $)#### ） 摘! 要：主要研究了铅离子辐照注碳 *+,-. 样品在) 个不同退火温度下傅立叶变换红外光谱的 变化。从红外谱的变化可以知道铅辐照注碳 *+,-. 样品在一定深度内出现了非晶层，波数在 /’#— 0# 12 % 范围内出现了干涉带，干涉带强度随着退火温度的升高而变弱。 )$) 3 退火后 样品的卢瑟福背散射分析结果显示，一定深度内硅原子的背散射产额明显减少。 关 键 词： * % ,-. ；傅立叶变换红外光谱；离子注入；卢瑟福背散射分析；退火 中图分类号：40$ ! ! ! 文献标识码：5 ［0 ］ ’( 引言 况 。 本文利用;9: 结合卢瑟福背散射分析（:=, ） 以碳化硅为代表的新一代化合物半导体材料由 方法研究了退火温度的变化对铅离子辐照注碳 *+ 于大的禁带宽度、高的载流子饱和漂移速率、高的 ,-. 样品损伤恢复程度的影响。 击穿电压和良好的化学热稳定性等诸多优点，在高 速、高温、大功率微电子器件以及高亮度短波长光 )( 实验过程 电子器件的开发中显示了重要的应用前景，因此受 到人们越来越多的关注。在碳化硅器件工艺中，即 碳离子注入实验是在中国科学院近代物理研究 使在 6## 7 扩散条件下，大部分掺杂的扩散速率 所(## ? 的离子注入机上完成的。注入碳离子 ( @ $ ( ［］ （. ）的能量为# A?，注入量为0 B # -CD8 12 ， 仍然较低 ，因此离子注入被认为是比较可行的掺 杂工艺技术。然而离子注入都不可避免地使碳化硅 注入时样品的温度为室温。依照 ,:9E/’ 计算结 材料中出现缺陷，会使其电学性能受到很大的影 果，射程为// D2 ，. 原子浓度峰值为’F ［’ ］。注 (#6 ($ @ 响，往往需要在一定条件下退火，使损伤的晶格得 入碳离子后又用能量()# EA? 的铅离子（ GH ） (#6 ($ @ 到一定的恢复。所以研究注入或辐照后缺陷的退火 辐照样品， GH 辐照是在中国科学院近代物理研 行为是碳化硅器件制造和应用的基础。另外，碳化 究所的*9:;I+,;. 的实验终端上进行的，辐照量为 硅材料也是未来核聚变堆的一种很有前景的候选结 B # ) -CD8 12( ，辐照时样品的温度为0## 3 。依照 构材料，对其辐照缺陷演化的研究有助于了解这种