感应耦合等离子体刻蚀p-GaN的表面特性.pdfVIP

第57卷第2期2008年2月 物理学报 1000．3290／2008157(02)／1128．05 ACTAPHYSICASINICA @2008 Chin．Plays．Soc． 感应耦合等离子体刻蚀p．GaN的表面特性* 吕 玲’ 龚 欣 郝 跃 (西安电子科技大学微电子学院，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安710071) (2007年3月31日收到；2007年6月21日收到修改稿) 研究了p-GaN材料经感应耦合等离子体(1CP)刻蚀后的表面特性，并用不同的方法对刻蚀表面进行处理．利用 触特性的测试．实验结果表明了NaOH溶液处理表面对改善材料表面和欧姆接触特性是比较有效的． 关键词：CaN，感应耦合等离子刻蚀，表面处理，欧姆接触 PACC：7280E，6170 有一种成熟的方法可以很好解决这一问题．本文着 1．引 言 重研究经过ICP刻蚀后的材料表面特性，以及不同 的表面处理方法对p-GaN表面形态的影响，同时研 GaN是一种宽禁带的半导体材料．由于其优异 究处理后的材料其欧姆接触的效果． 的物理特性，如大的热导率和介电常数，高的电子饱 和速度，以及稳定的化学性质，在微电子和光电子器 2．实 验 件领域中有很大的应用前景．特别是p-GaN掺杂取 得突破性进展后，GaN薄膜材料开始被用于短波长 本文研究所采用的GaN材料由金属有机物化 的发光器件、紫外探测器、大功率微波器件和高温电 子器件的制备中．氮化物基异质结双极晶体管 的蓝宝石衬底上依次生长了20llm的低温GaN缓冲 层，900am厚的非掺杂GaN以及360 (HBT)由于Ⅲ．V氮化物材料的内在特性及HBT器 nm的P型 件的线性度被认为是高温大功率应用的理想器件． 采用的是n+一AIGaN／p—GaN／n．GaN的结构，这里和N的源，用H2作为载气．Mg作为P型掺杂剂，采 p-GaN是作为基区．为了实现基区的欧姆接触，通过 ICP刻蚀来刻出基区接触台面，刻蚀表面质量直接 (约为117meV)，生长完毕后，样品在N：气氛760。C 影响欧姆接触和器件的电学特性，所以研究p-GaN下退火以激活杂质．常温下对样品进行Hall测试， 干法刻蚀损伤的去除或者说修复是很重要的． 得到材料的方块电阻尺。为1．47×loQ，电阻率为 在HBT制造工艺过程中，可以通过感应耦合等 5，29 cm～，迁移 Q·cm，P型载流子浓度为1．49×1017 离子体(ICP)刻蚀条件的优化来降低刻蚀造成的损率为7．93cm2·V一·s～． 伤…．另外大量的研究表明，GaN材料系的欧姆接触 研究中所用的ICP刻蚀机是真空进片不锈钢反 与材料的表面状态密切相关．已经通过对n．GaN表应室系统．等离子体由反应室上部的感应功率源产 面处理实现低的欧姆接触拉，．国际上也已经提出了 生，该功率源与一个工作在13．56MHz的1kW的射 频发生器相连；离子能量通过在样片上加一个射频 用KOH【3】、王水(aqua．regia)H1、(NH)。s2b1等多种处 偏压(13．56 理方法，都实现较低的接触电阻率．Tripathy哺1报道 MHz)获得，如图1．C12作为主要反应气