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* 从 IE 到 IC ，发生了两部分亏损：InE 与 Inr 。 要减小 InE ，就应使 NE NB ； 要减小 Inr ，就应使 WB LB 。 3.2 均匀基区晶体管的电流放大系数 （1）少子在基区中的复合必须很少，即要求 WB LB 。可利用 基区输运系数 对其进行定量分析； 要使晶体管区别于两个反向串联的二极管而具有放大作用，晶体管在结构上必须满足下面两个基本条件： （2）发射区注入基区的少子形成的电流必须远大于基区注入发射区的少子形成的电流，即要求 NE NB 。可利用 发射结注入效率 对其进行定量分析。 本节的讨论以 PNP 管为例。 定义：基区中到达集电结的少子电流 与 从发射区注入基区的少子形成的电流之比， 称为 基区输运系数，记为 。对于 PNP 管，为 由于少子空穴在基区的复合，使 JpC JpE ， 。 3.2.1 基区输运系数 由于 WB LB ，根据 2.2.6 关于薄基区二极管的近似结果，可得 以下用 pB 代表基区非平衡少子浓度 ? pn 这里必须采