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* 5.8 短沟道效应 当 MOSFET 的沟道长度 L↓时， 分立器件： 集成电路： 但是随着 L 的缩短，将有一系列在普通 MOSFET 中不明显的现象在短沟道 MOSFET 中变得严重起来，这一系列的现象统称为 “ 短沟道效应 ” 。 5.8.1 小尺寸效应 1、阈电压的短沟道效应 实验发现，当 MOSFET 的沟道长度 L 缩短到可与源、漏区的结深 xj 相比拟时，阈电压 VT 将随着 L 的缩短而减小，这就是 阈电压的短沟道效应 。 代表沟道下耗尽区的电离杂质电荷面密度 。考虑漏源区的影响后，QA 应改为平均电荷面密度 QAG 。 原因：漏源区对 QA 的影响 减小阈电压短沟道效应的措施 2、阈电压的窄沟道效应 实验发现，当 MOSFET 的沟道宽度 Z 很小时，阈电压 VT 将随 Z 的减小而增大。这个现象称为 阈电压的窄沟道效应。 当 VGS VT 且继续增大时，垂直方向的电场 E x 增大，表面散射进一步增大，? 将随 VGS 的增大而