微电子器件原理-第3章-三极管.pptVIP

第三章 三极管 3.1 n-p-n晶体管 3.2 理想的电流电压特性 3.3 典型的n-p-n晶体管特性 3.4 三极管模型 3.5 击穿电压 3.1 n-p-n晶体管 3.1.1 三极管基本工作原理 n-p-n晶体管一维表示、剖面图级能带结构示意图 三极管的基本工作原理 电子运动：发射区?基区?集电区?产生集电极电流IC，在基区不复合；在x方向，Jn(x)为“—” 空穴运动：基区?发射区?产生基极电流IB（在发射区或发射极与电子复合）；在-x方向；Jp(x)为“—” 三极管的基本工作原理 “0”点：有两种，物理上的和数学上的；发射区末端：x=-WE；基区末端x=WB 由于耗尽层的存在准中性n型区与p型区要小于物理上的宽度，两者没有区别 注意：载流子传输方程中的宽度均为准中性区的宽度 发射区结深XjE：扩散 0.2um or 大于0.2um，多晶硅 30多nm 基区结深：XjB； 基区宽度：XjB-XjE ，0.1um or 更少 符号 3.1.2二极管理论的修正 3个被忽略的重要效应必须被包括： 准中性区的电场； 重掺杂； 非均匀能带 1.均匀能带时（禁带宽度为常数时），准中性区的电场 N-p-n晶体管在离子注入或扩散时掺杂浓度剖面 N-p-n晶体管在用多晶硅发射极时的掺杂浓度剖面 用经验公式计算的带隙变窄现象 N-p-n晶体管电流电压特性 N-p-n晶体管Gu