微电子器件的可靠性---复旦大学.pptVIP

微电子器件的可靠性 复旦大学材料科学系  微电子器件的可靠性  Microelectronics Reliability 第十一章 电过应力 （EOS ) 引 言 电过应力是引起器件失效的主要失效机理之一。 某空间计算机的失效器件中，有60－70％ 是电过应力引起的。 1988年美国军用装备现场失效的 微电子器件失效分布 电过应力失效的类别 过热引起的烧毁、 晶体管的二次击穿（Second Breakdown SB） CMOS的闩锁效应(Latch-up) 静电放电(Electeo-Static Dicharge) 微电子器件的功率阈值 1。 器件的温度达到半导体材料的本征激发温度时，半导体材料发生本征激发，载流子数量激增，器件失去它的正常性能。 2。温度达到金属化铝的熔点时会引起铝膜的熔化、断裂 。 3。为保持微电子器件的性能正常，器件的温度有它的极限，从功率来说，就有它的功率阈值。 P－N结的功率阈值(1) 1.在单个脉冲功率下，将器件中有电流流过的区域定义在(a.b.c.)区域内。脉冲电流从表面ab平面流向内部。在开始时器件温度为T0，该区域温度的变化可通过热流方程来描述。 ?Cp(?T/?t)= H +(kT) 2.若器件最高