微电子器件第二章-PN结.pptVIP

微电子器件与IC设计 第 2 章 PN 结 2.1 PN结的形成及空间电荷区 2.1.1、PN结的形成及类型 1、PN 结含义： 在一块N型（或P型）半导体单晶上，用特定的工艺方法把P型（或N型）杂质掺入其中，使这块单晶相连的二个不同区域分别具有N型和P型的导电类型，在二者交界面的过渡区即称为PN结。 半导体二极管 2.1.1、PN结的形成及类型 2、PN结的类型 (1)、突变结 单边突变结 P＋N结 N＋P结 2.1.1、PN结的形成及类型 (2)、缓变结 2.1.1、PN结的形成及类型 (3)、实际PN结近似 缓变PN结附近杂质浓度有两种近似处理方法 A。线性缓变结近似 B。突变结近似 2.1.1、PN结的形成及类型 线性缓变结近似 适用于表面杂质浓度较低、结深较深的缓变结 2.1.1、PN结的形成及类型 突变结近似 适用于表面杂质浓度较高、结深较浅的缓变结 2.1.2、空间电荷区 2.1.3、平衡PN结能带图 （没有外加偏压） 2.1.3、PN结能带图 平衡PN结能带图 空间电荷区又称 势垒区 耗尽层 2.1.4、PN结内建电势差 2.1.4、PN结内建电势差 2.1.4、PN结内建电势差 2.1.5、平衡PN结载流子浓度分布 势垒区本征费米能级 随x的变化 （1）空间电荷区内的载流子浓度 （