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GaAs HBT微结构材料及器件研究
第 卷 第 期 固体电子学研究与进展
20 4 VO1. 20 NO. 4
年 月
2000 11 RESEARC~ gPROGRESS OF SSE NOV. 2000
生长 /
GSMBE In0. 49Ga0. 51P GaAs HBT
微结构材料及器件研究:
陈晓杰 陈建新 陈意桥 彭 鹏 李爱珍
( 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室 200050)
收稿收改稿
摘要 采用 技术 在材料表征和分析的基础上 通过优化生长条件 生长出高性能
: GSMBE
异质结双极晶体管 微结构材料 并制备出器件 材料结构中采用了厚度
0. 49 0. 51 / (~BT) 0
In Ga P GaAS
为 掺杂浓度为 19 -3 的掺 基区和 非掺杂隔离层 器件流片中采用湿
60 nm ~ 3 10 cm Be GaAS 5 nm
法化学腐蚀制作台面结构 测试结果表明该类器件具有良好的结特性 在集电极电流密度
0 280 A/
2 时其共发射极电流增益达 320 0 由此说明非掺杂隔离层的引入有效地抑制了由于基区 扩散
cm Be
导致的pn 结与异质结偏位及其所引起的器件性能劣化0
关键词 气态源分子束外延 异质结双极晶体管 铟镓磷
: ; ;
中图分类号:TN 313. 2 文献标识码:A 文章编号:1000-3819(2000) 04-0407-07
0. 49 0. 51 /
Study of In Ga P GaAs HBT Microstructure
Materials and Devices Grown by GSMBE
Chen XiaOjie Chen Jianxin Chen YigiaO Peng Peng Li Aizhen
(
State key laZo7ato7y of Fmnctzonal Mate7zals fo7 1nfo7?atzcs Shanghaz 1nstztmte
of Metallm7gy Chznese Acace?y of Sczences 200050 CHN)
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