重庆理工大学现代材料测试技术课件第十二章 电子能谱分析法.pptVIP

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重庆理工大学现代材料测试技术课件第十二章 电子能谱分析法

第十二章 电子能谱分析法 主要内容 俄歇电子能谱法(AES) X射线光电子能谱法(XPS) 紫外光电子能谱法(UPS) 基本原理 第一节 俄歇电子能谱法 第一节 俄歇电子能谱法 俄歇电子能谱法 用具有一定能量的电子束(或X射线)激发样品产生俄歇效应,通过检测俄歇电子的能量和强度,从而获得有关表面层化学成分和结构信息的方法。 回忆俄歇效应(见P34、P44) 一、基本原理 1、 俄歇电子产额 俄歇谱峰强度由俄歇电子产额或俄歇跃迁几率决定,直接关系到元素的定量分析。 俄歇电子与特征X射线的关联和竞争关系 对同一K层空穴,退激发过程中荧光X射线与俄歇电子的相对发射几率,即荧光产额(ωk)和俄歇电子产额(αk)满足: αk=1- ωk Z≤14,KLL 14〈Z〈42,LMM Z≥42,MNN和MNO 2. Auger电子能谱图 Auger电子能谱图 直接谱与微分谱 直接谱:俄歇电子强度N(E)对其能量E的分布。 微分谱:由直接微分而来,是DN(E)/dE对E的分布。 3、 化学位移与伴峰 化学环境:指原子的价态或在形成化合物时,与该(元素)原子相结合的其它(元素)原子的电负性等情况 化学位移:原子(元素)化学环境的变化引起的俄歇峰位移 伴峰:俄歇电子逸出固体表面时,有可能产生不连续的能量损失,从而造成在主峰的低能端产生伴峰 二 俄歇电子能谱仪 电子枪 能量分析器 二次电子探测器 样品分析室 溅射离子枪 信号处理与记录系统 1. 激发源-电子枪 2. 电子能量分析器 3. 检测器 三 俄歇电子能谱分析 定性分析 定量分析 1 定性分析 能级结构强烈依赖于原子序数,用确定能量的俄歇电子来鉴别元素是明确而不易混淆的。 根据实测的直接谱(俄歇谱)或微分谱上的负峰的位置识别元素,方法是与标准谱进行对比 定性分析的一般步骤 (1)利用主要俄歇电子能量图,确定实测谱中最强峰可能对应的几种(一般为2、3种元素); (2)实测谱与可能的几种元素的标准谱对照,确定最强峰对应元素,并标明属于此元素的所有峰 (3)反复重复上述步骤识别实测谱中尚未识别的其余峰 注意:由于可能存在化学位移,实测谱上峰能量(位置)与标准谱上相对应峰能量(位置)相差几个电子伏特是可能的。 2 定量分析 俄歇谱分析精度低,基本上是半定量的水平 相对灵敏度因子法是常用的定量分析方法,其分析依据为: 相对灵敏度因子法准确性较低,但不需要标样,因而应用较广 四 俄歇电子能谱法的应用 特点: (1)作为固体表面分析法,其信息深度取决于俄歇电子逸出深度; (2)可分析除H、He以外的各种元素 (3)对于轻元素C、O、N、S、P等有较高的分析灵敏度 (4)可进行成分的深度剖析或薄膜及界面分析 应 用 (1)材料表面偏析、表面杂质分布、晶界元素分析 (2)金属、半导体、复合材料等界面研究 (3)薄膜、多层膜生长机理的研究 (4)表面的力学性质研究 (5)表面化学过程研究 (6)固体表面吸附、清洁度、沾染物鉴定等 第二节 X射线光电子能谱法 1 化学位移 能谱中表征样品芯层电子结合能的一系列光电子谱峰称为元素的特征峰 因原子所处化学环境不同,使原子芯层电子结合能发生变化,则X射线电子谱谱峰位置发生移动,称之为谱峰的化学位移 由于固体的热效应与表面荷电效应等物理因素也可能引起电子结合能改变,从而导致光电子谱峰位移,称之为物理位移 2 伴峰与谱峰分裂 能谱中出现的非光电子峰称为伴峰 光电子输运过程中因非弹性散射而产生的能量损失峰 X射线源的强伴线产生的伴峰、俄歇电子峰 能谱峰分裂:多重态分裂与自旋-轨道分裂 如果原子、分子或离子价(壳)层有未成对电子存在,则内层芯能级电离后会发生能级分裂从而导致光电子谱峰分裂,称之为多重分裂 自旋-轨道偶合作用导致的光电子谱峰分裂称之为自旋-轨道分裂 谱峰出现规律 谱峰的物理位移和化学位移 二 X射线光电子能谱仪 X光源(激发源) 样品室 电子能量分析器 信息放大、记录系统 三 X射线光电子能谱分析与应用 元素定性分析 三 X射线光电子能谱分析与应用 元素定量分析 特殊样品的元素分析 特殊样品的元素分析 可从B12中180个不同原子中,检测出其中的一个Co原子 固体化合物表面分析 固体化合物表面分析 化学结构分析 案 例 分 析 位于706. 8 eV 和710. 8 eV 处的Fe2p谱峰分别归属于单质铁(或FeB 和Fe2B) 和铁的氧化物, 且铁的氧化物的谱峰强度随A r+ 溅射时间的延长变化不大. 这表明钢表面经渗硼处理后, 在表层和次表层形成了FeB、Fe2B 及FexO y. 图4 (a

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