电子束快退火法制备MgB2薄膜及性质研究.PDF

低 温 物 理 学 报 ， Ｖｏｌ．３５ Ｎｏ．１ 第 卷第 期 　 　 　 　 　 ３５ １ 年 月 Ｆｅｂｒｕａｒ ２０１３ 　　　 ２０１３ ２ ｙ 　 　　　 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦ ＬＯＷ ＴＥＭＰＥＲＡＴＵＲＥ ＰＨＹＳＩＣＳ 　 　 　 　 　 电子束快退火法制备Ｍ Ｂ 薄膜及性质研究＊ ｇ ２ 戴 倩１ 孔祥东２ 冯庆荣１ 韩 立２ 　 　　 　　 　　 　 张 怀１ 杨倩倩１ 聂瑞娟１ 王福仁１ 　 　　 　　 　　 １ ， ， ， ； 北京大学物理学院 人工微结构和介观物理国家重点实验室 北京大学应用超导研究中心 北京 １００８７１ ２ ， 中国科学院电工研究所 北京 １００１９０ ： ； ： 收稿日期回日期 － － － － 【 】 ， 摘要 利用电子束快退火法制备了 超导薄膜 该方法利用高能电子束 在中真空条件下照射 多层前 　 Ｍ Ｂ ． Ｍ －Ｂ ｇ ２ ｇ ， ， ， 驱膜 照射时间维持在 以下 在电子束的作用下 前驱膜中的 和 迅速反应 形成 相 整个退火过程没 １ｓ ． Ｍ Ｂ Ｍ Ｂ ．