红外线非线性材料CsGeClsub3晶粒合成并晶体成长.PDF

行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告 紅外線非線性材料CsGeCl晶粒合成並晶體生長 3 The synthesis and growth of IR nonlinear optical crystal of CsGeCl3 計畫編號： NSC 90-2112-M-009-049 執行期限： 90 年 8月 1日至 91 年 7月 31日 主持人：張振雄 執行機構及單位名稱：國立交通大學光電工程研究所 一、中文摘要 has become more valuable. CsGeCl3 is a good infrared nonlinear optical 氯鍺銫 (CsGeCl 晶體之成長技術與) material which fit the following three 3 其在紅外線非線性光學應用的潛力愈來愈 requirements: a wide and homogeneous 受到重視。氯鍺銫晶體，在我們的研究結 transparent spectrum from visible to infrared, a non-vanished χ(2) , and a 果與 近年來文獻的報導中均顯示具有成為 higher optical damage threshold. 優良 非線性光學材料的潛力。其特性與晶 We are dedicated in growing 體之晶相以及電子能態結構直接或間接相 nonlinear crystal for the past few 關聯，我們除了 進行其合成與長晶條件研 years. This year we hope to synthesize 究外，亦進行相關物性量測與第一原理計 and grow the crystal of CsGeCl3 . 算評估。 Except the crystal growth , we also 在晶體生長部分，我們已初步建置恆 tried to calculate theoretically the electronic band structure by means of 溫水槽進行溶液長晶法的晶體成長研究。 the implemented CASTEP program. We 合成之氯鍺銫 (CsGeCl 晶體) 進行光譜量 3 compare the calculated properties of 測，探討 紅外線非線性光學應用的參數， the crystal CsGeCl3 with those measured 如：FTIR 、PL 、XRD 探討其穿透光譜與晶 ones. 體鍵結特性等 。 此外，我們也在理論上利用第一原理 Key