薄膜的结构和介电性能对比.PDFVIP

4 1 4 人 工 晶 体 学 报 第 卷 第 期 Vol． 4 1 No． 4 2012 8 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS August ，2012 年 月 Bi1． 65 Zn1． 0 Nb1． 5 O7． 225 陶瓷和 薄膜的结构和介电性能对比 ， ， ， ， 张效华 辛 凤 胡跃辉 杨 丰 陈义川 ( ， 333000) 景德镇陶瓷学院 景德镇 : Bi Zn Nb O (BZN) ， 10% Bi O ， Bi Zn Nb O 摘要 以立方焦绿石 1． 5 1． 0 1． 5 7 为配方基础 通过掺入过量 的 2 3 形成 1． 65 1． 0 1． 5 7 ． 225 非 。 Bi Zn Nb O ， 化学计量比分子式 采用固相反应法合成具有焦绿石立方结构的 1． 65 1． 0 1． 5 7 ． 225 陶瓷 并采用脉冲激光沉积 Pt / SiO / Si (100) 。 Bi Zn Nb O ， 法在 2 基片上制备其薄膜 对比研究了非化学计量比 1． 65 1． 0 1． 5 7 ． 225 陶瓷和薄膜的结晶性能 。 Bi Zn Nb O BZN 微观形貌以及介电性能的差异 结果表明烧结的 1． 65 1． 0 1． 5 7 ． 225 陶瓷和沉积的 薄膜都保持立方焦绿石 ， (222) 。 ， 。 单相结构 但是薄膜展现出较强的 晶面择优取向 陶瓷和薄膜的晶格常数 微观形貌都体现出差异 对比二 ，Bi Zn Nb O ， 者的介电特性后发现 1． 65 1． 0 1． 5 7 ． 225 薄膜的介电常数明显高于陶瓷的介电常数 这归因于薄膜和块体材料之 ， ， ， 。 间的差异 例如厚度 致密度 择优取向等 :BZN ;BZN ; 关键词 陶瓷 薄膜 介电性能 中图分类号:TB303 文献标识码:A 文章编号:1000-985X