Sr（Zr0.1Ti0.9）O3缓冲层厚度对PZT薄膜结晶及性能的影响.pdfVIP

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2018-05-07 发布于福建
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Sr（Zr0.1Ti0.9）O3缓冲层厚度对PZT薄膜结晶及性能的影响.pdf

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第29卷第4期电子元件与材料 V_o】．29NO．4 2010年4月 ELECTRoNIC COMPONENTS AND MATERIALS Apr．2010 Sr(Zr0．1Tio．9)o3缓冲层厚度对PZT薄膜结晶及性能的影响辛红，刘长菊，王艳阳，苏未安 (1．西安建筑科技大学理学院，陕西西安 710055；2．江西理工大学理学院，江西赣州 341000) 摘要：采用sol唔e1法制备了具有Sr(Zro，lTi0．9)03缓冲层的PbZr0l52Tio-48O3(PZT)薄膜，研究了缓冲层厚度对样品结晶和性能的影响。结果表明，较薄缓冲层会诱导PZT薄膜的(111)择优取向，添加单层缓冲层(约20nm)使其(111) 取向度提高到90％；较厚缓冲层会抑制PZT薄膜的(111)择优取向，添加四层缓冲层(约80nm)使其(1l1)取向度降低到9％；缓冲层厚度对样品电性能有显著影响，其剩余极化强度由无缓冲层时的26．8xlO_6C／cm2增加到缓冲层厚度约为20am 时的38．8xlO-eC／cm 。关键词：缓冲层；PZT薄膜；Sr(Zro．1Ti0．9)03；取向度 doi：10．3969／j．issn．1001—2028．2010．04．002 中图分类号：0484 文献标识码：A 文章编号：1001．2028(2010)04—0005．03 EffectsofSr(Zr0．1Ti0．9)03bufferlayerthicknessonthecrystallizati0n andpropertiesofPZT thinfilms XINHong，LIUChangju，WANGYanyang，SUWeian (1．SchoolofScience，Xi’anUniversityofArchitectureandTechnology，Xi’an 710055，China；2．SchoolofScience， JiangxiUniversityofScienceandTechnology，Ganzhou 341000，JiangxiProvince，China) Abstract：PbZros2Tio ．． 4803(PZT)thinfilmswithSr(ZrolTi0．9)03bufferlayerwerepreparedusingthesol—gelmethod． Theeffectsofdifferentbufferlayerthicknessesonthecrystallizationandpropertiesofpreparedsampleswereinvestigated． Theresultsshow that(111)preferredorientationofPZT thinfilmsisinducedwithathinnerbufferlayer,whileitis inhibitedwithathickerbufferlayer,htatis，(111)一orientationdegreedecreaseswiththeincreasingofbufferlayerthickness． (111)一orientationdegreeis90％withsingle—layerbufferlayer(about20nm)，whileitisonly9％withfour-layerbufferlayer fabout80nm)．Theelectricalpropertiesofthesamplesvary withthebufferlayerthicknessobviously．Theremanent polarizationofthesampl