0.275μm nMOST#39;s中陷阱辅助隧穿电流对漏端LDD区DCIV谱峰的影响.pdfVIP

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2018-04-06 发布于北京
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第卷第期半导体学报 24 2 Vol. 24 ,No. 2 年月 2003 2 C~INESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Feb. , 2003 ================================================================= Effect of band trap band Current on DCIV Spectrum Peaks at LDD Drain region in 0. 275pm nMOSt s % Liu Dongming , Yang Guoyong , Wang Jinyan , Xu MingZhen and Tan Changhua (1nstitute of Microelectronics , Peking Uniuersity , Beijing 100871 , China ) Abstract ; Interface trapS generated under hot carrier (~C) StreSS in LDD nMOST S are monitored by the direct- - ( ) ( ) . current current voltage DCIV meaSurement technigue and charge pumping CP technigue The meaSured and analy , , Zed reSultS ShoW that the D peak in DCIV Spectrum Which related to the drain region iS affected by a . . SuperfluouS drain leak age current The band trap band tunneling current iS dominant of thiS current ; - ( ) ; ; ; ; Key Words direct current current voltage DCIV hot carrier reliability band trap band current charge pumping (CP) EEACC ; 2570 CLC number ; TN 43 Document code ; A Article ID