HEMT太赫兹探测器响应度和NEP的检测与分析.PDF

See discussions, stats, and author profiles for this publication at: /publication Detection and analysis of the Responsivity and NEP for HEMT Terahertz Detector Article · February 2013 CITATIONS READS 0 1 5 3 authors, including: Xinxin Yang Chalmers University of Technology 9 PUBLICATIONS 16 CITATIONS SEE PROFILE All content following this page was uploaded by Xinxin Yang on 16 March 201 . The user has requested enhancement of the downloaded file. 器件与技术 与 纳米器件 技术 Devices and Technology Nanoelectronic Device Technology ＨＥＭＴ太赫兹探测器响应度和ＮＥＰ的检测与分析 ， ， 杨昕昕 孙建东 秦 华 　 （ ， ） 中国科学院 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米器件与应用重点实验室 江苏 苏州 ２１５１２３ 　 　 ： ， ／ （ ） 摘要 在０．８ １．１ＴＨｚ内 对ＡｌＧａＮ ＧａＮ 高电子迁移率晶体管 ＨＥＭＴ 太赫兹探测器的响应 ～ 　 。 ， 度和噪声等效功率进行了具体测试和分析 在太赫兹波辐射下 ＨＥＭＴ太赫兹探测器源漏端产生 。 ／ 能被栅压灵敏调控的直流光电流 该型探测器在３００Ｋ和７７Ｋ 下的电流响应度分别为８３ｍＡ Ｗ 和 　 　 　 ／ ，电压响应度分别为 ／ 和 ／ ，噪声等效功率分别达到 ／ ０．５ 和 ４．１Ａ Ｗ ４ｋＶ Ｗ ５０ｋＶ Ｗ ２２ Ｗ Ｈｚ