第八讲：COMS_IC工艺流程(半导体制造技术).pptVIP

Figure 7 - COMS IC 制造工艺流程 CMOS工艺流程中的主要制造步骤 CMOS 制作步骤 1. 双井工艺 2. 浅槽隔离工艺 3. 多晶硅栅结构工艺 4. 轻掺杂漏(LDD)注入工艺 5. 侧墙的形成 6. 源/漏（S/D）注入工艺 7. 接触孔的形成 8. 局部互连工艺 9. 通孔1和金属塞1的形成 10. 金属1互连的形成 11. 通孔2和金属2的形成 12. 金属2互连的形成 13. 制作金属3、压点及合金 14. 参数测试 p-well Formation1）第二层掩膜2） P井注入(高能)3）退火 STI Formation1）浅曹氧化物抛光（化学机械抛光）2）氮化物去除 三、Poly Gate Structure Process 晶体管中栅结构的制作是流程当中最关键的一步，因为它包含了最薄的栅氧化层的热生长以及多晶硅栅的形成，而后者是整个集成电路工艺中物理尺度最小的结构。1）栅氧化层的生长2）多晶硅淀积3）第四层掩膜，多晶硅栅4）多晶硅栅刻蚀 四、轻掺杂；漏注入工艺 随着栅的宽度不断减小，栅下的沟道长度也不断减小。这就增加源漏间电荷穿通的可能性，并引起不希望的沟道漏电流。LDD工艺就是为了减少这些沟道漏电流的发生。 n- LDD Implant1）第五层掩膜2） n-LDD注入（低能量，浅结） p-