TMAH腐蚀液腐蚀硅杯的研究与分析研究.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 TMAH腐蚀液腐蚀硅杯的研究与分析 张书玉1张维连1索开南1张生才2姚素英2 (1河北工业大学半导体材料研究所天津300130) (2天津大学电子信息工程学院天津300072) 摘要：TMAH是一种新型的性能优异的各向异性腐蚀液，本文给出了TMAH腐蚀硅杯的原理 通过实验研究了硅片被TMAH溶液腐蚀后的粗糙度以及腐蚀速率，并讨论了在腐蚀过程中由 凸角结构产生的削角现象。 1．引言 在正方形微压传感器制造中，为获得低量程、高精度、高灵敏度的正方形硅杯只能采 用各向异性腐蚀方法获得。以往使用的各向异性腐蚀液普遍毒性比较大、易爆炸，腐蚀速 率低、粗糙度等不易控制的因素。到目前为止，人们提出了多种腐蚀液，其中最常用的是 EDP、KOH和TMAH溶液。我们在多年研究半导体高温压力传感器的过程中，对这三种腐蚀液 都进行了尝试。发现EDP的腐蚀效果很好，但对腐蚀条件要求严格，稍有变化(包括腐蚀液浓 度、温度、腐蚀液中溶解的硅含量、腐蚀液的循环流动情况等)，就会在硅片表面生成一层 难溶的白色沉淀物此外，EDP还有剧毒性。KOH和TMAH的腐蚀效果都很不错，而且反应易于控 制。比较起来，TMAH的效果更胜一筹。另外，用KOH腐蚀硅杯会引入金属离子玷污。由于在 多晶硅压力传感器的制作过程中，腐蚀硅杯后仍有高温工艺，会造成传感器性能的不稳定 性，最终选择了TMAH作为硅杯的各向异性腐蚀剂…。 2．基本原理： TMAH腐蚀液与单晶Si的反应： 在四甲基氢氧化铵的水溶液中加入单晶si片，为使反应更均匀，在加热的同时用磁力搅 生成物是溶解于水的络合物一硅酸四甲基铵，并有氢气放出。 硅各向异性腐蚀是由于具有金刚石结构的硅单晶体不同晶面上的原子排列密度不同 造成的。各晶面腐蚀速率取决于晶面原子晶格密度和有效键密度。由于(111)面的原子密 度远大于(100)面的原子密度，若选择(100)晶面硅片，长方形腐蚀窗口的两邻边分别平行 的如图1结构。 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 图1硅杯结构 3．实验及结果： 考虑到传感器制作的要求，腐蚀实验采用3mm(100)面P、n型两种硅片，电阻率为 li 8—10Q·cm热氧化一层约0．5m厚的SiOz作为掩膜，光刻。由于Si0。在TMAH中的腐蚀速率 较硅(100)面低3至4个数量级心1，所以能起到很好的掩蔽作用。腐蚀图形为上述方形窗口。 腐蚀前用5％的HF酸冲洗硅片30s然后用去离子水冲洗干净，在加热搅拌器的容器中通过水 取出上述硅片各一片，由u=生掣从而计算出腐蚀速率u。 CT…(wt·％) 图2腐蚀速率随浓度、温度以及Si衬底类型的变化 从图1可以看出衬底类型对腐蚀速率影响不大，还可以看出随着浓度的增大腐蚀速率 会减小，随着腐蚀温度的升高腐蚀速率会增大。这点与PingHeiChen所的结论近似相同。“， 只是图中腐蚀液的浓度略有不同，估计是配置溶液过程中有误差。 图3是我们在实验中在75℃时使用TMAH测出的粗糙度与腐蚀时间的关系，由图我们看 到 面粗糙度随时间的变化是规则的，TMAH对(100)面的腐蚀粗糙度随腐蚀时间的变化规率， 开始随时问上升，粗糙度先上升，达最大值后，粗糙度又随时间下降，当腐蚀时间达350min 后对 (100)面的腐蚀达到稳定。 ．．78．． 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 腐蚀时间(min) 图3粗糙度随时间的变化 4．TmtII各向异性腐蚀的削角特性 在硅的各向异性腐蚀中，如果存在凸角结构，就会产生削角现象。图是1t0和110晶向 所成的直角被腐蚀的情况。研究表明在硅杯腐蚀过程中，110*I11