GaN基通孔垂直结构的发光二极管失效分析.PDF

GaN基通孔垂直结构的发光二极管失效分析 符民 文尚胜 夏云云 向昌明 马丙戌 方方 FailureanalysisofGaN-basedLight-emittingdiodewith hole vertical structure FuMin WenShang-Sheng XiaYun-Yun XiangChang-Ming Ma Bing-Xu FangFang 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,048501(2017) DOI: 10.7498/aps.66.048501 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.66.048501 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2017/V66/I4 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 刻蚀AlN 缓冲层对硅衬底N极性n-GaN表面粗化的影响 InfluenceofetchingAlNbufferlayeronthesurfaceroughening of N-polarn-GaN grown on Si substrate 物理学报.2016,65(8): 088501 /10.7498/aps.65.088501 TiO 微粒对远程荧光粉膜及白光发光二极管器件光色性能的影响 Investigation of photo-chromic properties of remote phosphor film and white light emitting diode mixed withTiO particles 物理学报.2016,65(5): 058501 /10.7498/aps.65.058501 利用单层密排的纳米球提高发光二极管的出光效率 Light-extractionenhancementofGaN-basedLEDsbyclosely-packed nanospheres monolayer 物理学报.2015,64(14): 148502 /10.7498/aps.64.148502 利用温变电容特性测量发光二极管结温的研究 Junctiontemperaturemeasurementoflight-emittingdiodesusing temperature-dependent capacitance 物理学报.2015,64(11): 118501 /10.7498/aps.64.118501 晶圆键合和激光剥离工艺对GaN基垂直结构发光二极管芯片残余应力的影响 Effect of wafer bonding and laser liftoff process on residual stress of GaN-based vertical light emitting diodechips 物理学报.2015,64(2): 028501 /10.7498/aps.64.028501 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 66, No. 4 (2017) 048501 GaN基通孔垂直结构的发光二极管失效分析 符民 文尚胜 夏云云 向昌明 马丙戌 方方 1) (华南理工大学, 发光材料与器件国家重点实验室, 广州 510640) 2)(广东金鉴检测科技有限公司, 广州 511300) ( 2016 年10 月22 日收到; 2016 年11 月10 日收到修改稿) 基于X-射线透视仪进行无损伤检测发现发光二极管(LED) 产品的封装会产生空洞的情况, 特选取了 GaN 基通孔垂直结构的LED 短路失效案例进行了失效性研究. 利用光学显微镜、能谱仪和扫描电子显微镜对 样品微观形貌进行表征, 对失效样品进行金相切片处理, 观察截面处形貌, 最后根据分析结果得出样品的失效 机理. 分析结果表明: 背金层空洞和固晶层空洞的存在加重了芯片通孔处应力不均, 加快了GaN 外延层的破 裂的速度, 致使LED 失效. 因此, 在LED 的封装过程中, 也需要去避免空洞的产生,