MOSFET的时间有关IV特性研究.pdfVIP

MOSFET的时间相关 工一V特性研究 许铭真 谭长华 卫建林 段小蓉 北京大学徽电子所 引 吉 众所周知，利用 FN (Fowler-Nordheim)电压或电流应力研究薄栅二氧化硅的退化 过程，己经成为研究MOS器件可靠性的重要课题。尽管人们在实验与模型研究方面进 行了大量的工作，并取得了显著的成就与进展[[1b然而，人们对FN电流自身的蜕化尚 缺乏深入而细致的研究。诚然。竟有人指出过，尚若在Si0:中存在大量的空间电荷， 会使隧道电流具有肖特基效应的性质2【]。近来也有人在研究SILC(Stree-InducedLeakage Current)时，指出，由FN电流得到的势垒高度不合情理的小[3]。在FN应力过程中， 众多的物理现象例如，TDDB，软击穿，电报噪声，SILC等效应均与FN电流的真实机 制变化相关。本文，将对 FN隧道电流进行全应力时域分析，特别关注在进入 软击穿 区前后的行径。并应用FN电流的对数图确定其B因子的变化规律，从实验上验证 “缺 陷带”导电和类施主击穿模型4「]的可能性。 实验与结果 实验样品为沟长 10微米的NMOSFET,氧化层厚度为6nm。应用DOVRS[5]或 OTRS[6]进行FN电流的时变特性测试与分析。测试电流曲线时，MOSFET的源、漏、 辛寸底共地。 Fowler-Nordheim(FN)电流可由下式表述 J=AE.exp(-B/凡) 其中，A,B是与电子的有效质量和势垒高度相关的常数，E}是氧化层电场强度。 ， 图一是利用高场应力前后，测得的扮V:曲线制作的图，应力时间t=0,36,72…… 3600sec，由图一可以看到，随着高场FN应力时间的增长，该图的直线区斜率 (即B 因子)在不断变小。 图二 (a)是FN隧道电流与应力时间的关系:(b)是B因子与应力时间的关系。 由图二 a〔)可以看出，在出现 FN 电流跳跃以前，电流在不断减小，这表示陷阱 创 月 电荷在不断产生，而B因子变化不大;此后，FN电流呈台阶式增加，这时SiO2进入了 ， 软击穿 S〔oftBreakdown)区，引起了B因子的迅速减小，并在进入击穿(Breakdown)以 ， -512- 前呈短暂的饱和趋势。随后，由于热电效应导致SiO:的热电击穿 ，B因子也减到最小 值 。 讨论与结论 由图二 (b)的B-t曲线，我们可以假设，在高场FN应力作用下，产生了大量的 缺陷 (主要是类氢物质，H或 OH)，也就是引进了电学上的缺陷/杂质掺杂过程，当其 浓度达到足够高的程度时，这些分立的缺陷/杂质能级发生相互作用形成能带，即在Sioi 的禁带中出现了缺陷/杂质带。这使得Si0:在物理性质上发生了重大变化，导致了SiOz 电学性质的变化，使得注入Si0:的FN电子，不仅可以借助Si0:的导带导电，而且可 以借助缺陷j杂质带实现新的FN导电通道，这就意味着有效势垒的降低。 由此可以得到几点重要的推论: I在高场TDDB期间，存在着电学上的缺陷/杂质掺杂效应，并导致了缺陷/杂质 带的出现。 2.在进入软击穿区时，B因子的下降或者说有效势垒的降低，将意味着光电流的 迅速增加[[7], 3.缺陷/杂质带将是SILC的重要起因之一，我们将进行更进一步的研究工作。 结论:在TDDB过程中，FN隧道电流的B因子发生显著变化，这种变化可能源于 在Si02禁带中出现了缺陷/杂质带，形成了FN电子的新的导电通道，成为TDD31的重 要机 制。 参考文献: [1]C